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SKU Imagen Nombre de producto Datasheet Entrega y precio
SISH434DN-T1-GE3
SISH434DN-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 35 A, 40 V, 0.0063 ohm, 10 V, 2.2 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 35A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V

Precio unitario: 0,429€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 50
SISH472DN-T1-GE3
SISH472DN-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 20 A, 30 V, 0.0074 ohm, 10 V, 2.5 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 20A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V

Precio unitario: 0,243€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 100
SISH615ADN-T1-GE3
SISH615ADN-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal P, -35 A, -20 V, 0.0035 ohm, -10 V, -1.5 V

Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -35A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V

Precio unitario: 0,205€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SISH617DN-T1-GE3
SISH617DN-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal P, -35 A, -30 V, 0.0103 ohm, -10 V, -2.5 V

Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -35A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V

Otros nombres: STDMOS1045.

Precio unitario: 0,281€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 5980
SISH625DN-T1-GE3
SISH625DN-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal P, -35 A, -30 V, 0.0056 ohm, -10 V, -2.5 V

Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -35A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V

Precio unitario: 0,217€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 45
SISHA04DN-T1-GE3
SISHA04DN-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

MOSFET

MOSFET, SISHA04DN-T1-GE3, N-Canal-Canal, 40 A, 30 V, 8-Pin, PowerPak 1212-SH Simple

Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 40 A, 30 V, 0.0018 ohm, 10 V, 2.2 V.

- Precio unitario: 0,317€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SISHA10DN-T1-GE3
SISHA10DN-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

MOSFET

MOSFET, SISHA10DN-T1-GE3, N-Canal-Canal, 30 A, 30 V, 8-Pin, PowerPak 1212-SH Simple

Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 30 A, 30 V, 0.0028 ohm, 10 V, 2.2 V.

- Precio unitario: 0,615€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SISHA12ADN-T1-GE3
SISHA12ADN-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 25 A, 30 V, 0.0032 ohm, 10 V, 2.2 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 25A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V

Precio unitario: 0,289€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 50
SISHA14DN-T1-GE3
SISHA14DN-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Low Voltage MOSFETs (<500V)

TMOS3570

N-CH 30V 20A 4,25mOhm PPAK1212

Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 20 A, 30 V, 0.00425 ohm, 10 V, 2.2 V.

- Precio unitario: 0,314€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 30 días
Stock: Sí
SISS02DN-T1-GE3
SISS02DN-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 80 A, 25 V, 0.001 ohm, 10 V, 2.2 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 80A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 25V

Precio unitario: 0,510€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SISS04DN-T1-GE3
SISS04DN-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 80 A, 30 V, 0.001 ohm, 10 V, 2.2 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 80A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V

Precio unitario: 0,551€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 5575
SISS05DN-T1-GE3
SISS05DN-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal P, -108 A, -30 V, 0.0028 ohm, -10 V, -2.2 V

Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -108A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V

Precio unitario: 0,345€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 50
SISS06DN-T1-GE3
SISS06DN-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 172.6 A, 30 V, 0.00115 ohm, 10 V, 2.2 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 172.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V

Precio unitario: 0,448€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 50
SISS08DN-T1-GE3
SISS08DN-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 195.5 A, 25 V, 0.00102 ohm, 10 V, 2.2 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 195.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 25V

Precio unitario: 0,735€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 50
SISS10ADN-T1-GE3
SISS10ADN-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 109 A, 40 V, 0.0022 ohm, 10 V, 2.4 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 109A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V

Precio unitario: 0,180€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí