Mostrando 33825 resultados para VISHAY.

SKU Imagen Nombre de producto Datasheet Entrega y precio
SISS12DN-T1-GE3
SISS12DN-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 60 A, 40 V, 0.00161 ohm, 10 V, 2.4 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V

Otros nombres: TMOS2861.

Precio unitario: 0,750€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 40
SISS22DN-T1-GE3
SISS22DN-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Low Voltage MOSFETs (<500V)

TMOS2974

N-CH 60V 90,6A 3,25mOhm

Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 90.6 A, 60 V, 0.00325 ohm, 10 V, 3.6 V.

Precio unitario: 0,999€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 30 días
Stock: Sí
SISS23DN-T1-GE3
SISS23DN-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

MOSFET

MOSFET, SISS23DN-T1-GE3, P-Canal, 27 A, 20 V, 8-Pin, PowerPAK 1212 TrenchFET Simple Si

Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal P, -50 A, -20 V, 0.0035 ohm, -4.5 V, 900 mV.

- Precio unitario: 0,243€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SISS26DN-T1-GE3
SISS26DN-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 60 A, 60 V, 0.0037 ohm, 10 V, 3.6 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V

Precio unitario: 0,781€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 4106
SISS26LDN-T1-GE3
SISS26LDN-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

MOSFET

MOSFET, SISS26LDN-T1-GE3, N-Canal-Canal, 81.2 A, 60 V, 8-Pin, PowerPak 1212-S Simple

Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 81.2 A, 60 V, 0.0034 ohm, 10 V, 2.5 V.

- Precio unitario: 0,869€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SISS27DN-T1-GE3
SISS27DN-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

MOSFET

MOSFET, SISS27DN-T1-GE3, P-Canal, 23 A, 30 V, 8-Pin, PowerPAK 1212 TrenchFET Simple Si

- Precio unitario: 0,566€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SISS30DN-T1-GE3
SISS30DN-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 54.7 A, 80 V, 0.00685 ohm, 10 V, 3.8 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 54.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 80V

Precio unitario: 0,735€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 40
SISS30LDN-T1-GE3
SISS30LDN-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 55.5 A, 80 V, 0.00705 ohm, 10 V, 2.5 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 55.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 80V

Otros nombres: MOSFET, SISS30LDN-T1-GE3, N-Canal-Canal, 55.5 A, 80 V, 8-Pin, PowerPak 1212-S Simple.

Precio unitario: 0,442€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SISS32DN-T1-GE3
SISS32DN-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 63 A, 80 V, 0.006 ohm, 10 V, 3.8 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 63A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 80V

Precio unitario: 0,525€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 50
SISS32LDN-T1-GE3
SISS32LDN-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Low Voltage MOSFETs (<500V)

TMOS6493

N-CH 80V 63A 7,2mOhm

Precio unitario: 0,693€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 30 días
Stock: Sí
SISS40DN-T1-GE3
SISS40DN-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Low Voltage MOSFETs (<500V)

TMOS1211

N-CH 100V 36,5A 21mOhm PPAK

Precio unitario: 0,427€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SISS42DN-T1-GE3
SISS42DN-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 40.5 A, 100 V, 0.012 ohm, 10 V, 3.4 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 40.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V

Precio unitario: 0,561€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 6000
SISS42LDN-T1-GE3
SISS42LDN-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 39 A, 100 V, 0.0122 ohm, 10 V, 2.5 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 39A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V

Otros nombres: MOSFET, SISS42LDN-T1-GE3, N-Canal-Canal, 39 A, 100 V, 8-Pin, PowerPak 1212-S Simple.

Precio unitario: 0,454€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 6000
SISS46DN-T1-GE3
SISS46DN-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 45.3 A, 100 V, 0.0106 ohm, 10 V, 3.4 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 45.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V

Precio unitario: 0,598€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 15
SISS50DN-T1-GE3
SISS50DN-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

MOSFET

MOSFET, SISS50DN-T1-GE3, N-Canal-Canal, 108 A, 45 V, 8-Pin, POWERPAK 1212-8S TrenchFET® Gen IV

- Precio unitario: 0,301€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí