Mostrando 127 resultados para Wolfspeed
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SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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C3D16065D1 |
Fabricado por:
Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; THT; 650V; 16A; 75W |
Precio unitario: 5,345€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 4 |
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C3D1P7060Q |
Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Serie Z-Rec 600V, Simple, 600 V, 7 A, 4.4 nC, QFN Rango de Producto: Serie Z-Rec 600V Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 600V
Otros nombres: Diodo, C3D1P7060Q, 7A, 600V, QFN, 8-Pines, Schottky SiC, Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; SMD; 600V; 1,7A.
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Precio unitario: 0,400€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 8986 |
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C3D20060D |
Fabricado por:
Diodo, C3D20060D, 20A, 600V Schottky SiC, TO-247, 3-Pines 2.4V, Schottky SiC
Otros nombres: Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Serie Z-Rec 600V, Cátodo Común Doble, 600 V, 59 A, 50 nC, Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; THT; 600V; 2x10A.
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Precio unitario: 6,848€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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C3D20065D |
Fabricado por:
Diodo, C3D20065D, 59A, 650V Schottky SiC, TO-247, 3-Pines 2.4V, Schottky SiC
Otros nombres: Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Z-Rec Series, Cátodo Común Doble, 650 V, 55 A, 24 nC, TO-247, Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; THT; 650V; 2x10A.
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Precio unitario: 5,524€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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C3D25170H |
Fabricado por:
Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; THT; 1,7kV; 25A
Otros nombres: Diodo, C3D25170H, Alta tensión, 26.3A, 1700V Schottky SiC, TO-247, 2-Pines 4V, Schottky SiC.
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Precio unitario: 43,572€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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C3D30065D |
Fabricado por:
Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; THT; 650V; 2x15A
Otros nombres: Diodo Schottky de Carburo de Silicio, C3D, Z-Rec 650V Series, Cátodo Común Doble, 650 V, 78 A.
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Precio unitario: 6,121€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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C3M0015065K |
Fabricado por:
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 96A; Idm: 418A; 416W |
Precio unitario: 30,652€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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C3M0016120K |
Fabricado por:
Transistor MOSFET, SiC, Canal N, 115 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, 15 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 115A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 1.2kV
Otros nombres: MOSFET, C3M0016120K, N-Canal-Canal, 115 A, 1.200 V, 4-Pin, TO-247 Simple SiC, SiC MOSFET G3 1200V 16mOhms.
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Precio unitario: 62,187€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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C3M0030090K |
Fabricado por:
MOSFET, C3M0030090K, N-Canal-Canal, 63 A, 900 V, 4-Pin, TO-247 Simple SiC
Otros nombres: MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 30mOhm, Transistor MOSFET, Canal N, 63 A, 900 V, 0.03 ohm, 15 V, 2.4 V.
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Precio unitario: 23,942€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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C3M0032120K |
Fabricado por:
MOSFET, C3M0032120K, N-Canal-Canal, 63 A, 1.200 V, 4-Pin, TO-247 Simple SiC
Otros nombres: MOSFET 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET.
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Precio unitario: 28,170€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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C3M0060065D |
Fabricado por:
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 27A; Idm: 99A; 150W |
Precio unitario: 8,585€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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C3M0060065J |
Fabricado por:
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 26A; Idm: 99A; 136W |
Precio unitario: 8,585€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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C3M0060065K |
Fabricado por:
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 27A; Idm: 99A; 150W |
Precio unitario: 8,585€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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C3M0065090D |
Fabricado por:
MOSFET, C3M0065090D, N-Canal-Canal, 36 A, 900 V, 3-Pin, TO-247 Simple SiC
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 36 A, 900 V, 0.065 ohm, 15 V, 2.1 V.
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Precio unitario: 10,282€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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C3M0065090J |
Fabricado por:
MOSFET, C3M0065090J, N-Canal-Canal, 35 A, 900 V, 7-Pin, D2PAK (TO-263) Simple SiC
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 35 A, 900 V, 0.065 ohm, 15 V, 2.1 V.
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Precio unitario: 8,434€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |