Mostrando 127 resultados para Wolfspeed.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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C3D16065D1 |
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Fabricado por:
Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; THT; 650V; 16A; 75W |
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Precio unitario: 5,345€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 4 |
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C3D1P7060Q |
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Fabricado por:
Diodo, C3D1P7060Q, 7A, 600V, QFN, 8-Pines, Schottky SiC Una gama de diodos Schottky SiC (carburo de silicio) de Wolfspeed que ofrece mejoras significativas con respecto a los diodos de barrera Schottky estándar. Los diodos SiC proporcionan una intensidad de campo de ruptura mucho mayor y mayor conductividad térmica junto con una reducción significativa de pérdida de potencia en frecuencias de conmutación altas. Los diodos SiC son la elección perfecta en aplicaciones de alta eficacia y alta tensión como fuentes de alimentación de modo …
Otros nombres: Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Serie Z-Rec 600V, Simple, 600 V, 7 A, 4.4 nC, QFN, Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; SMD; 600V; 1,7A.
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Precio unitario: 0,441€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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C3D20060D |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Serie Z-Rec 600V, Cátodo Común Doble, 600 V, 59 A, 50 nC Rango de Producto: Serie Z-Rec 600V Configuración de Diodo: Cátodo Común Doble Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 600V
Otros nombres: Diodo, C3D20060D, 20A, 600V Schottky SiC, TO-247, 3-Pines 2.4V, Schottky SiC, Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; THT; 600V; 2x10A.
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Precio unitario: 6,334€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 86 |
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C3D20065D |
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Fabricado por:
Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; THT; 650V; 2x10A
Otros nombres: Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Z-Rec Series, Cátodo Común Doble, 650 V, 55 A, 24 nC, TO-247, Diodo, C3D20065D, 59A, 650V Schottky SiC, TO-247, 3-Pines 2.4V, Schottky SiC.
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Precio unitario: 4,540€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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C3D25170H |
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Fabricado por:
Diodo, C3D25170H, Alta tensión, 26.3A, 1700V Schottky SiC, TO-247, 2-Pines 4V, Schottky SiC
Otros nombres: Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; THT; 1,7kV; 25A.
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Precio unitario: 43,912€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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C3D30065D |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, C3D, Z-Rec 650V Series, Cátodo Común Doble, 650 V, 78 A Rango de Producto: Z-Rec 650V Series Configuración de Diodo: Cátodo Común Doble Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 650V
Otros nombres: Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; THT; 650V; 2x15A.
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Precio unitario: 8,749€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 746 |
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C3M0015065K |
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Fabricado por:
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 96A; Idm: 418A; 416W |
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Precio unitario: 30,652€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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C3M0016120K |
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Fabricado por:
MOSFET, C3M0016120K, N-Canal-Canal, 115 A, 1.200 V, 4-Pin, TO-247 Simple SiC
Otros nombres: SiC MOSFET G3 1200V 16mOhms, Transistor MOSFET, SiC, Canal N, 115 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, 15 V, 2.5 V.
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Precio unitario: 57,613€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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C3M0030090K |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 63 A, 900 V, 0.03 ohm, 15 V, 2.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 63A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 900V
Otros nombres: MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 30mOhm, MOSFET, C3M0030090K, N-Canal-Canal, 63 A, 900 V, 4-Pin, TO-247 Simple SiC.
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Precio unitario: 25,433€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 548 |
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C3M0032120K |
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Fabricado por:
MOSFET 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET
Otros nombres: MOSFET, C3M0032120K, N-Canal-Canal, 63 A, 1.200 V, 4-Pin, TO-247 Simple SiC.
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Precio unitario: 31,219€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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C3M0060065D |
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Fabricado por:
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 27A; Idm: 99A; 150W |
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Precio unitario: 8,585€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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C3M0060065J |
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Fabricado por:
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 26A; Idm: 99A; 136W |
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Precio unitario: 8,585€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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C3M0060065K |
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Fabricado por:
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 27A; Idm: 99A; 150W |
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Precio unitario: 8,585€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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C3M0065090D |
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Fabricado por:
MOSFET, C3M0065090D, N-Canal-Canal, 36 A, 900 V, 3-Pin, TO-247 Simple SiC
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 36 A, 900 V, 0.065 ohm, 15 V, 2.1 V.
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Precio unitario: 10,282€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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C3M0065090J |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 35 A, 900 V, 0.065 ohm, 15 V, 2.1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 35A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 900V
Otros nombres: MOSFET, C3M0065090J, N-Canal-Canal, 35 A, 900 V, 7-Pin, D2PAK (TO-263) Simple SiC.
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Precio unitario: 8,963€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1272 |