Fabricado por: Wolfspeed(CREE)

Diodos Schottky THT

Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; THT; 650V; 20A

Fabricado por: Wolfspeed

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, SiC, Canal N, 35 A, 900 V, 0.065 ohm, 15 V, 2.1 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 35A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 900V

Fabricado por: Wolfspeed

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, SiC, Canal N, 23 A, 900 V, 0.12 ohm, 15 V, 2.1 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 23A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 900V

Fabricado por: Wolfspeed

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, SiC, Canal N, 11.5 A, 900 V, 0.28 ohm, 15 V, 2.1 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 11.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 900V

Fabricado por: Wolfspeed(CREE)

Diodos Schottky THT

Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; THT; 1,2kV; 20A

Fabricado por: Wolfspeed

Kits de Desarrollo para Gestión de Alimentación - DC / DC

KIT EVAL CONVERTIDOR BUCK-BOOST SÍNCRONO

Fabricante del Núcleo de Silicio: Cree Número del Núcleo de Silicio: C3M0075120K Tipo de Aplicación de Kit: Administración de Potencia

Fabricado por: Wolfspeed

Kits de Desarrollo de Control de Potencia

Kit de evaluación, SiC MOSFET MOSFET y diodos Schottky TO-247

Un kit de evaluación de Wolfspeed, la división de soluciones de alimentación de Cree Inc., que demuestra el rendimiento de los diodos Schottky y MOSFET de 1200 V en encapsulados TO-247 estándares. El kit incluye todas las piezas de fase de potencia necesarias para montar rápidamente un convertidor de potencia configurado en medio puente y poder empezar con los dispositivos SiC. El kit PCB también sirve como buen ejemplo de configuración para controlar correctamente combinaciones …