Mostrando 127 resultados para Wolfspeed.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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C6D16065D |
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Fabricado por:
Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; THT; 650V; 16A; 43W |
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Precio unitario: 3,676€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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CAB450M12XM3 |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 786,612€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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CAS120M12BM2 |
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Fabricado por:
MOSFET, CAS120M12BM2, Dual, N-Canal-Canal, 193 A, 1.200 V, 7-Pin, Medio puente Serie SiC |
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Precio unitario: 331,653€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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CAS300M12BM2 |
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Fabricado por:
MOSFET, CAS300M12BM2, Dual, N-Canal-Canal, 404 A, 1.200 V, 7-Pin, Medio puente Serie SiC |
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Precio unitario: 526,243€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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CAS300M17BM2 |
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Fabricado por:
MOSFET, CAS300M17BM2, Dual, N-Canal-Canal, 325 A, 1700 V, 7-Pin, Medio puente Serie SiC |
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Precio unitario: 839,603€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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CCS020M12CM2 |
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Fabricado por:
MOSFET, CCS020M12CM2, Hex, N-Canal-Canal, 29 A, 1.200 V, 28-Pin, Paquete de seis Trifásico SiC |
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Precio unitario: 198,986€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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CCS050M12CM2 |
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Fabricado por:
MOSFET, CCS050M12CM2, Hex, N-Canal-Canal, 87 A, 1.200 V, 28-Pin, Paquete de seis Trifásico SiC
Otros nombres: Módulo; transistor/transistor; 1,2kV; 59A; Six-Pack; atornillado.
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Precio unitario: 362,615€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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CGD15HB62P1 |
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Fabricado por:
Shield Driver de puerta MOSFET Wolfspeed - CGD15HB62P1
Otros nombres: Placa de Evaluación, Controlador de Puerta MOSFET, 1ED020I12-F2.
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Precio unitario: 333,719€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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CGD15SG00D2 |
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Fabricado por:
Driver de puerta MOSFET CGD15SG00D2, ±9 A 3 pines
Otros nombres: Placa de Evaluación, Módulo de Controlador de Puerta, Para MOSFETs SiC de 3ª Generación (C3M).
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Precio unitario: 46,434€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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CMF10120D |
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Fabricado por:
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 24A; 134W; TO247-3 |
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Precio unitario: 21,311€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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CMF20120D |
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Fabricado por:
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 24A; 215W; TO247-3 |
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Precio unitario: 39,780€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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CRD-060DD17P-2 |
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Fabricado por:
Evaluation Board, Auxiliary Power Supply For C2M1000170J Silicon Carbide MOSFET Fabricante del Núcleo de Silicio: Cree Número del Núcleo de Silicio: C2M1000170J Tipo de Aplicación de Kit: Administración de Potencia |
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Precio unitario: 217,164€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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CSD01060A |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Serie Z-Rec 600V, Único, 600 V, 2 A, 3.3 nC, TO-220 Rango de Producto: Serie Z-Rec 600V Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 600V
Otros nombres: 1A 600V SIC SCHOTTKY DIODE, Diodo, CSD01060A, 2A, 600V Schottky SiC, TO-220, 2-Pines 2.4V, Schottky SiC, Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; THT; 600V; 1A; 21,4W.
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Precio unitario: 0,581€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 326 |
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CSD01060E |
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Fabricado por:
Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; SMD; 600V; 1A; 21,4W
Otros nombres: Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Serie Z-Rec 600V, Único, 600 V, 2 A, 3.3 nC, TO-252.
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Precio unitario: 0,553€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 127 |
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CSD01060E-TR |
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Fabricado por:
Otros nombres: Diodo, CSD01060E-TR, 2A, 600V Schottky SiC, TO-252, 2-Pines 2.4V, Schottky SiC.
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Precio unitario: 0,765€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |