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SKU Imagen Nombre de producto Datasheet Entrega y precio
NST3904DP6T5G
NST3904DP6T5G

Fabricado por: On Semiconductor

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, NPN Doble, 40 V, 350 mW, 200 mA, 30 hFE, SOT-963

Polaridad de Transistor: NPN Doble Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 40V Disipación de Potencia Pd: 350mW

Precio unitario: 0,044€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 3401
NST3906DXV6T1G
NST3906DXV6T1G

Fabricado por: On Semiconductor

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, PNP Doble, -40 V, 357 W, 200 mA, 30 hFE, SOT-563

Polaridad de Transistor: PNP Doble Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -40V Disipación de Potencia Pd: 357W

Otros nombres: Transistor, NST3906DXV6T1G, PNP 200 mA 40 V HFE:30 Dual SOT-563, 6 pines, 1 kHz, Aislado.

Precio unitario: 0,049€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 7730
NST3946DP6T5G
NST3946DP6T5G

Fabricado por: On Semiconductor

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, Complemento N y P, 40 V, 240 mW, 200 mA, 30 hFE, SOT-963

Polaridad de Transistor: Complemento N y P Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 40V Disipación de Potencia Pd: 240mW

Precio unitario: 0,046€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 7150
NST3946DXV6T1G
NST3946DXV6T1G

Fabricado por: On Semiconductor

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, NPN, PNP, 40 V, 500 mW, 200 mA, 100 hFE, SOT-563

Polaridad de Transistor: NPN, PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 40V Disipación de Potencia Pd: 500mW

Precio unitario: 0,046€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
NST45010MW6T1G
NST45010MW6T1G

Fabricado por: On Semiconductor

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, AEC-Q101, PNP Doble, -45 V, 380 mW, -100 mA, 220 hFE, SOT-363

Polaridad de Transistor: PNP Doble Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -45V Disipación de Potencia Pd: 380mW

Precio unitario: 0,126€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 10015
NST65010MW6T1G
NST65010MW6T1G

Fabricado por: On Semiconductor

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, PNP Doble, -65 V, 380 mW, -100 mA, 0.9 hFE, SOT-363

Polaridad de Transistor: PNP Doble Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -65V Disipación de Potencia Pd: 380mW

Otros nombres: Transistor, NST65010MW6T1G, PNP 100 mA 65 V Dual SOT-363 (SC-88), 6 pines, 100 MHz, Aislado.

Precio unitario: 0,051€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 3130
NST65011MW6T1G
NST65011MW6T1G

Fabricado por: On Semiconductor

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, NPN Doble, 65 V, 380 mW, 100 mA, 0.9 hFE, SOT-363

Polaridad de Transistor: NPN Doble Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 65V Disipación de Potencia Pd: 380mW

Otros nombres: Transistor, NST65011MW6T1G, NPN 100 mA 65 V Dual SOT-363 (SC-88), 6 pines, 100 MHz, Aislado.

Precio unitario: 0,051€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 19247
NSVT65010MW6T1G
NSVT65010MW6T1G

Fabricado por: On Semiconductor

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, AEC-Q101, PNP Doble, -65 V, 380 mW, -100 mA, 0.9 hFE, SOT-363

Polaridad de Transistor: PNP Doble Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -65V Disipación de Potencia Pd: 380mW

Precio unitario: 0,060€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 2801
NSVT65011MW6T1G
NSVT65011MW6T1G

Fabricado por: On Semiconductor

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, AEC-Q101, NPN Doble, 65 V, 380 mW, 100 mA, 300 hFE, SOT-363

Polaridad de Transistor: NPN Doble Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 65V Disipación de Potencia Pd: 380mW

Precio unitario: 0,060€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 2739
NTE264
NTE264

Fabricado por: Nte Electronics

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

DARLINGTON TRANSISTOR, PNP, -100V TO-220

Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 100V Disipación de Potencia Pd: 65W

Otros nombres: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 10A; 65W; TO220.

Precio unitario: 2,347€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 26
NTE378
NTE378

Fabricado por: Nte Electronics

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

BIPOLAR TRANSISTOR, PNP -80V TO-220

Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 80V Disipación de Potencia Pd: 50W

Otros nombres: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 10A; 50W; TO220.

Precio unitario: 2,008€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 19
PBLS4003Y,115
PBLS4003Y,115

Fabricado por: Nexperia

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, Conmutador de Carga con Transistores BISS, NPN, PNP, 40 V, 200 mW

Polaridad de Transistor: NPN, PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 40V Disipación de Potencia Pd: 200mW

Otros nombres: Transistor digital PBLS4003Y,115, NPN + PNP, 100 mA a 500 mA 40 V, 50 V 10 kΩ, Relación de Resistencia: 1, UMT.

Precio unitario: 0,051€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
PBSS2515VS,115
PBSS2515VS,115

Fabricado por: Nexperia

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, Propósito General, NPN, 15 V, 200 mW, 500 mA, 200 hFE, SOT-666

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 15V Disipación de Potencia Pd: 200mW

Otros nombres: Transistor, PBSS2515VS,115, NPN 500 mA 15 V Dual SSMini, 6 pines, 420 MHz, Aislado.

Precio unitario: 0,063€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 966
PBSS2515YPN
PBSS2515YPN

Fabricado por: Nexperia

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, Propósito General, NPN, PNP, 15 V, 200 mW, 500 mA, 200 hFE

Polaridad de Transistor: NPN, PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 15V Disipación de Potencia Pd: 200mW

Precio unitario: 0,068€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
PBSS4021SN,115
PBSS4021SN,115

Fabricado por: Nexperia

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, NPN, 20 V, 2.3 W, 7.5 A, 300 hFE, SOIC

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 20V Disipación de Potencia Pd: 2.3W

Precio unitario: 0,400€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 241