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SKU Imagen Nombre de producto Datasheet Entrega y precio
MMDT4413-7-F
MMDT4413-7-F

Fabricado por: Diodes Inc.

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, Doble, NPN, PNP, 40 V, 200 mW, 600 mA, 100 hFE, SOT-363

Polaridad de Transistor: NPN, PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 40V Disipación de Potencia Pd: 200mW

Otros nombres: Transistor, MMDT4413-7-F, NPN + PNP 600 mA 40 V Dual SOT-363 (SC-88), 6 pines, 200 (PNP) MHz, 250 (NPN) MHz, Aislado.

Precio unitario: 0,065€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
MMDT5451-7-F
MMDT5451-7-F

Fabricado por: Diodes Inc.

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, Doble, NPN, PNP, 160 V, 200 mW, 200 mA, 80 hFE, SOT-363

Polaridad de Transistor: NPN, PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 160V Disipación de Potencia Pd: 200mW

Otros nombres: Transistor, MMDT5451-7-F, NPN + PNP 200 mA 150 V, 160 V Dual SOT-363 (SC-88), 6 pines, 300 (NPN) MHz, 300 (PNP) MHz,.

Precio unitario: 0,047€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 795
MMDT5551-7-F
MMDT5551-7-F

Fabricado por: Diodes Inc.

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, Doble, NPN, 160 V, 200 mW, 200 mA, 80 hFE, SOT-363

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 160V Disipación de Potencia Pd: 200mW

Otros nombres: Transistor, MMDT5551-7-F, NPN 200 mA 160 V Dual SOT-363 (SC-88), 6 pines, 300 MHz, Aislado.

Precio unitario: 0,053€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 8470
MMPQ2222A
MMPQ2222A

Fabricado por: On Semiconductor

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, NPN, 40 V, 1 W, 500 mA, 100 hFE, SOIC

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 40V Disipación de Potencia Pd: 1W

Otros nombres: Transistor, MMPQ2222A, NPN 500 mA 40 V Quad SOIC, 16 pines, 300 MHz, Aislado.

Precio unitario: 0,676€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 1141
MMPQ2907A
MMPQ2907A

Fabricado por: On Semiconductor

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, PNP, -60 V, 1 W, -600 mA, 50 hFE, SOIC

Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -60V Disipación de Potencia Pd: 1W

Precio unitario: 0,599€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 2706
MMPQ3904
MMPQ3904

Fabricado por: On Semiconductor

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, NPN, 40 V, 1 W, 200 mA, 30 hFE, SOIC

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 40V Disipación de Potencia Pd: 1W

Otros nombres: Transistor, MMPQ3904, NPN 200 mA 40 V Quad SOIC, 16 pines, 250 MHz, Aislado.

Precio unitario: 0,539€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
MMPQ3906
MMPQ3906

Fabricado por: On Semiconductor

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, Cuádruple PNP, -40 V, 1 W, -200 mA, 30 hFE, SOIC

Polaridad de Transistor: Cuádruple PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -40V Disipación de Potencia Pd: 1W

Otros nombres: Transistor, MMPQ3906, PNP 200 mA 40 V Quad SOIC, 16 pines, 200 MHz, Aislado.

Precio unitario: 0,645€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 1170
MMPQ6700
MMPQ6700

Fabricado por: On Semiconductor

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, NPN, PNP, 40 V, 1 W, 200 mA, 30 hFE, SOIC

Polaridad de Transistor: NPN, PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 40V Disipación de Potencia Pd: 1W

Otros nombres: Transistor, MMPQ6700, NPN + PNP 200 mA 40 V Quad SOIC, 16 pines, 200 MHz, Aislado.

Precio unitario: 0,537€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
NCV1413BDR2G
NCV1413BDR2G

Fabricado por: On Semiconductor

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, NPN Doble, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC

Polaridad de Transistor: NPN Doble Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 50V Corriente de Colector DC: 500mA

Otros nombres: Par Darlington, NCV1413BDR2G, NPN 500 mA, 50 V, HFE:1000, SOIC, 16 pines Emisor común.

Precio unitario: 0,174€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 2475
NJD35N04T4G
NJD35N04T4G

Fabricado por: On Semiconductor

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, NPN Doble, 350 V, 45 W, 4 A, 300 hFE, TO-252

Polaridad de Transistor: NPN Doble Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 350V Disipación de Potencia Pd: 45W

Otros nombres: Par Darlington, NJD35N04T4G, NPN 4 A, 350 V, HFE:2000, DPAK (TO-252), 3 pines Simple.

Precio unitario: 0,343€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 1210
NSM4002MR6T1G
NSM4002MR6T1G

Fabricado por: On Semiconductor

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, NPN Doble, 45 V, 500 µW, 500 mA, 40 hFE, SC-74

Polaridad de Transistor: NPN Doble Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 45V Disipación de Potencia Pd: 500µW

Otros nombres: Transistor, NSM4002MR6T1G, NPN 500 mA 40 V, 45 V Dual SC-74, 6 pines, 300 (mín.) MHz, Complejo.

Precio unitario: 0,063€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 3009
NSM6056MT1G
NSM6056MT1G

Fabricado por: On Semiconductor

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, NPN, 40 V, 380 mW, 600 mA, 20 hFE, SC-74

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 40V Disipación de Potencia Pd: 380mW

Precio unitario: 0,056€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 1841
NSS40302PDR2G
NSS40302PDR2G

Fabricado por: On Semiconductor

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, NPN, PNP, 40 V, 783 mW, 3 A, 200 hFE, SOIC

Polaridad de Transistor: NPN, PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 40V Disipación de Potencia Pd: 783mW

Otros nombres: Transistor, NSS40302PDR2G, NPN + PNP 3 A 40 V Dual SOIC, 8 pines, 100 MHz, Aislado.

Precio unitario: 0,214€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 1019
NSS60101DMTTBG
NSS60101DMTTBG

Fabricado por: On Semiconductor

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, NPN Doble, 60 V, 2.27 W, 1 A, 35 hFE, WDFN

Polaridad de Transistor: NPN Doble Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 60V Disipación de Potencia Pd: 2.27W

Precio unitario: 0,153€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 1777
NST30010MXV6T1G
NST30010MXV6T1G

Fabricado por: On Semiconductor

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, PNP Doble, -30 V, 661 mW, -100 mA, 420 hFE, SOT-563

Polaridad de Transistor: PNP Doble Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -30V Disipación de Potencia Pd: 661mW

Otros nombres: Transistor, NST30010MXV6T1G, PNP 100 mA 30 V Dual SOT-563, 6 pines, 100 MHz, Aislado.

Precio unitario: 0,186€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 1129