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SKU Imagen Nombre de producto Datasheet Entrega y precio
MBT3904DW1T1H
MBT3904DW1T1H

Fabricado por: On Semiconductor

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, NPN Doble, 40 V, 150 mW, 200 mA, 30 hFE, SOT-363

Polaridad de Transistor: NPN Doble Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 40V Disipación de Potencia Pd: 150mW

Precio unitario: 0,027€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
MBT3904DW1T3G
MBT3904DW1T3G

Fabricado por: On Semiconductor

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

TRANSISTOR ARRAY, DUAL NPN, 40V, SOT-363

Polaridad de Transistor: Dual NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 40V Disipación de Potencia Pd: 150mW

Otros nombres: Transistor, MBT3904DW1T3G, NPN 200 mA 40 V Dual SOT-363 (SC-88), 6 pines, 100 MHz, Aislado.

Precio unitario: 0,049€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 17430
MBT3946DW1T1G
MBT3946DW1T1G

Fabricado por: On Semiconductor

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, Propósito General, NPN, PNP, 40 V, 150 mW, 200 mA, 250 hFE

Polaridad de Transistor: NPN, PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 40V Disipación de Potencia Pd: 150mW

Otros nombres: Transistor, MBT3946DW1T1G, NPN + PNP 200 mA 40 V Dual SOT-363 (SC-88), 6 pines, 100 MHz, Aislado, Transistor: NPN / PNP; bipolar; par complementario; 40V; 0,2A.

Precio unitario: 0,024€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 17488
MBT3946DW1T2G
MBT3946DW1T2G

Fabricado por: On Semiconductor

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, NPN, PNP, 40 V, 150 mW, 200 mA, 100 hFE, SC-88

Polaridad de Transistor: NPN, PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 40V Disipación de Potencia Pd: 150mW

Otros nombres: Transistor: NPN / PNP; bipolar; par complementario; 40V; 200mA.

Precio unitario: 0,024€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 6600
MBT6429DW1T1G
MBT6429DW1T1G

Fabricado por: On Semiconductor

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, NPN Doble, 45 V, 150 mW, 200 mA, 500 hFE, SC-88

Polaridad de Transistor: NPN Doble Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 45V Disipación de Potencia Pd: 150mW

Precio unitario: 0,024€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 19709
MC1413BDG
MC1413BDG

Fabricado por: On Semiconductor

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, Darlington, NPN, 2 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 2V Corriente de Colector DC: 500mA

Otros nombres: Par Darlington, MC1413BDG, NPN 500 mA, 50 V, HFE:1000, SOIC, 16 pines Emisor común, Trans Darlington NPN 50V 0.5A SOIC16.

Precio unitario: 0,156€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 876
MC1413BDR2G
MC1413BDR2G

Fabricado por: On Semiconductor

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, NPN, 1.1 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 1.1V Corriente de Colector DC: 500mA

Otros nombres: Darlington Array NPN 50V 500mA SOIC16, IC: driver; darlington,matriz de transistores; SO16; 0,5A; 50V, Par Darlington, MC1413BDR2G, NPN 500 mA, 50 V, HFE:1000, SOIC, 16 pines Emisor común.

Precio unitario: 0,154€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 1995
MC1413BPG
MC1413BPG

Fabricado por: On Semiconductor

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, DIP

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 50V Corriente de Colector DC: 500mA

Precio unitario: 0,163€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
MC1413DG
MC1413DG

Fabricado por: On Semiconductor

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, Darlington, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 50V Corriente de Colector DC: 500mA

Otros nombres: Driver; darlington,matriz de transistores; 0,5A; 50V; Canales: 7.

Precio unitario: 0,146€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 632
MC1413DR2G
MC1413DR2G

Fabricado por: On Semiconductor

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, NPN, 1.1 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 1.1V Corriente de Colector DC: 500mA

Precio unitario: 0,145€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 1790
MC1413PG
MC1413PG

Fabricado por: On Semiconductor

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, Darlington, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, DIP

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 50V Corriente de Colector DC: 500mA

Otros nombres: Darlington Array x7 NPN 50V 0.5A PDIP16, Par Darlington, MC1413PG, NPN 500 mA, 2 V, HFE:1000, PDIP, 16 pines Emisor común.

Precio unitario: 0,315€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
MJB41CT4G
MJB41CT4G

Fabricado por: On Semiconductor

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, AEC-Q100, NPN, 100 V, 65 W, 6 A, 15 hFE, TO-263

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 100V Disipación de Potencia Pd: 65W

Precio unitario: 0,404€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 173
MJE270G
MJE270G

Fabricado por: On Semiconductor

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, NPN Doble, 100 V, 15 W, 2 A, 500 hFE, TO-225

Polaridad de Transistor: NPN Doble Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 100V Disipación de Potencia Pd: 15W

Otros nombres: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1,5W; TO225.

Precio unitario: 0,177€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 712
MMDT2907A-7-F
MMDT2907A-7-F

Fabricado por: Diodes Inc.

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, Doble, PNP, -60 V, 200 mW, -600 mA, 100 hFE, SOT-363

Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -60V Disipación de Potencia Pd: 200mW

Otros nombres: Transistor, MMDT2907A-7-F, PNP 600 mA 60 V Dual SOT-363 (SC-88), 6 pines, Aislado.

Precio unitario: 0,053€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 3456
MMDT3946-7-F
MMDT3946-7-F

Fabricado por: Diodes Inc.

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, Doble, NPN, PNP, 40 V, 200 mW, -200 mA, 100 hFE, SOT-363

Polaridad de Transistor: NPN, PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 40V Disipación de Potencia Pd: 200mW

Otros nombres: Transistor, MMDT3946-7-F, NPN + PNP 200 mA 40 V Dual SOT-363 (SC-88), 6 pines, Aislado.

Precio unitario: 0,053€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí