Inicio » Semiconductores - Discretos » Transistores » Transistores Bipolares » Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)
Mostrando 307 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
|---|---|---|---|---|---|
|
HFA3127BZ |
|
Fabricado por:
Array de Transistores Bipolares, NPN, 8 V, 150 mW, 37 mA, 130 hFE, SOIC Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 8V Disipación de Potencia Pd: 150mW
Otros nombres: Transistor, HFA3127BZ, NPN 65 mA 8 V HFE:40 Pent SOIC, 16 pines, 8.000 MHz,, Transistor, HFA3127BZ, NPN 65 mA 8 V Pent SOIC, 16 pines, 8.000 MHz, Aislado.
|
|
Precio unitario: 4,598€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6 |
|
|
HFA3128BZ |
|
Fabricado por:
Array de Transistores Bipolares, PNP, 12 V, 150 mW, 37 mA, 60 hFE, SOIC Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 12V Disipación de Potencia Pd: 150mW |
|
Precio unitario: 3,250€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 330 |
|
|
HFA3134IHZ96 |
|
Fabricado por:
Array de Transistores Bipolares, NPN, 9 V, 26 mA, 48 hFE, SOT-23 Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 9V Corriente de Colector DC: 26mA |
|
Precio unitario: 2,697€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1890 |
|
|
HN1B01FDW1T1G |
|
Fabricado por:
Array de Transistores Bipolares, NPN, PNP, 50 V, 380 mW, 200 mA, 200 hFE, SC-74 Polaridad de Transistor: NPN, PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 50V Disipación de Potencia Pd: 380mW |
|
Precio unitario: 0,030€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5835 |
|
|
IMH15AT110 |
|
Fabricado por:
Array de Transistores Bipolares, NPN, 50 V, 300 mW, 100 mA, 250 hFE, SOT-457 Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 50V Disipación de Potencia Pd: 300mW |
|
Precio unitario: 0,055€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
IMT1AT110 |
|
Fabricado por:
Array de Transistores Bipolares, Doble, PNP, 50 V, 300 mW, -150 mA, 120 hFE, SOT-457 Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 50V Disipación de Potencia Pd: 300mW |
|
Precio unitario: 0,268€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2340 |
|
|
IMT2AT108 |
|
Fabricado por:
Array de Transistores Bipolares, PNP, 50 V, 300 mW, -150 mA, 120 hFE, SOT-457 Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 50V Disipación de Potencia Pd: 300mW |
|
Precio unitario: 0,102€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
IMX1T110 |
|
Fabricado por:
Array de Transistores Bipolares, NPN, 50 V, 300 mW, 150 mA, 120 hFE, SC-74 Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 50V Disipación de Potencia Pd: 300mW
Otros nombres: Transistor, IMX1T110, NPN 150 mA 50 V Dual Montaje superficial, 6 pines, 180 MHz, Aislado.
|
|
Precio unitario: 0,056€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
IMZ1AT108 |
|
Fabricado por:
Array de Transistores Bipolares, Doble, NPN, PNP, 50 V, 300 mW, 150 mA, 120 hFE, SOT-457 Polaridad de Transistor: NPN, PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 50V Disipación de Potencia Pd: 300mW |
|
Precio unitario: 0,069€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 175 |
|
|
LM3046M/NOPB . |
|
Fabricado por:
Array de Transistores Bipolares, NPN, 15 V, 750 mW, 50 mA, 100 hFE, SOIC Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 15V Disipación de Potencia Pd: 750mW |
- |
Precio unitario: 0,415€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
MAT01GHZ |
|
Fabricado por:
Array de Transistores Bipolares, NPN Doble, 45 V, 1.8 W, 25 mA, 430 hFE, TO-78 Polaridad de Transistor: NPN Doble Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 45V Disipación de Potencia Pd: 1.8W
Otros nombres: Transistor, MAT01GHZ, NPN 25 mA 45 V Dual TO-78, 6 pines, 450 MHz, Aislado, Transistor, MAT01GHZ, NPN 25 mA 45 V HFE:250 Dual TO-78, 6 pines, 450 MHz,.
|
|
Precio unitario: 9,089€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
MAT12AHZ |
|
Fabricado por:
Array de Transistores Bipolares, NPN, 40 V, 20 mA, 300 hFE, TO-78 Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 40V Corriente de Colector DC: 20mA
Otros nombres: Transistor, MAT12AHZ, NPN 20 mA 10 V Dual TO-78, 6 pines, 200 MHz, Aislado, Transistor, MAT12AHZ, NPN 20 mA 10 V HFE:200 Dual TO-78, 6 pines, 200 MHz,.
|
|
Precio unitario: 19,487€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
MAT14ARZ |
|
Fabricado por:
Array de Transistores Bipolares, NPN, 40 V, 30 mA, 300 hFE, SOIC Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 40V Corriente de Colector DC: 30mA
Otros nombres: Transistor, MAT14ARZ, NPN 30 mA 40 V HFE:200 Quad SOIC, 14 pines, 1 kHz,, Transistor, MAT14ARZ, NPN 30 mA 40 V Quad SOIC, 14 pines, 1 kHz, Aislado.
|
|
Precio unitario: 6,373€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
MBT2222ADW1T1G |
|
Fabricado por:
Array de Transistores Bipolares, Propósito General, NPN, 40 V, 150 mW, 600 mA, 35 hFE, SOT-363 Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 40V Disipación de Potencia Pd: 150mW
Otros nombres: Array de Transistores Bipolares, Canal N, 40 V, 150 mW, 600 mA, 35 hFE, SC-70, Transistor, MBT2222ADW1T1G, NPN 600 mA 40 V Dual SOT-363 (SC-88), 6 pines, 100 MHz, Aislado.
|
|
Precio unitario: 0,023€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 9000 |
|
|
MBT3904DW1T1G |
|
Fabricado por:
Array de Transistores Bipolares, Propósito General, NPN Doble, 40 V, 150 mW, 200 mA, 30 hFE Polaridad de Transistor: NPN Doble Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 40V Disipación de Potencia Pd: 150mW
Otros nombres: Array de Transistores Bipolares, Propósito General, NPN, 40 V, 150 mW, 200 mA, 300 hFE, SOT-363.
|
|
Precio unitario: 0,023€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |