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Mostrando 23431 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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AFT27S010NT1 |
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Fabricado por:
Transistor FET de RF, 65 V, 728 MHz, 3600 MHz, PLD-1.5W Tensión Drenador-Fuente (Vds): 65V Frecuencia de Funcionamiento Mín.: 728MHz Frecuencia Máx. de Funcionamiento: 3600MHz |
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Precio unitario: 8,255€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 988 |
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AFT31150NR5 |
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Fabricado por:
Transistor FET de RF, LDMOS, 65 VDC, 741 W, 2.7 GHz, 3.1 GHz, OM-780 Tensión Drenador-Fuente (Vds): 65VDC Disipación de Potencia Pd: 741W Frecuencia de Funcionamiento Mín.: 2.7GHz |
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Precio unitario: 148,410€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 30 |
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AFV10700HR5 |
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Fabricado por:
Transistor FET de RF, LDMOS, 105 VDC, 526 W, 1.03 GHz, 1.09 GHz, NI-780H Tensión Drenador-Fuente (Vds): 105VDC Disipación de Potencia Pd: 526W Frecuencia de Funcionamiento Mín.: 1.03GHz |
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Precio unitario: 350,170€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
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AFV10700HSR5 |
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Fabricado por:
Transistor FET de RF, LDMOS, 105 VDC, 526 W, 1.03 GHz, 1.09 GHz, NI-780S Tensión Drenador-Fuente (Vds): 105VDC Disipación de Potencia Pd: 526W Frecuencia de Funcionamiento Mín.: 1.03GHz |
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Precio unitario: 351,140€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
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AIDW10S65C5XKSA1 |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, CoolSiC 5G 650V Series, Único, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-247 Rango de Producto: CoolSiC 5G 650V Series Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 650V
Otros nombres: Diodo: rectificador de barrera Schottky; THT; 650V; 10A; 65W.
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Precio unitario: 5,354€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 240 |
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AIDW12S65C5XKSA1 |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, CoolSiC 5G 650V Series, Único, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-247 Rango de Producto: CoolSiC 5G 650V Series Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 650V
Otros nombres: Diodo: rectificador de barrera Schottky; THT; 650V; 12A; 76W.
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Precio unitario: 6,421€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 240 |
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AIDW16S65C5XKSA1 |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, CoolSiC 5G 650V Series, Único, 650 V, 16 A, 23 nC, TO-247 Rango de Producto: CoolSiC 5G 650V Series Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 650V
Otros nombres: Diodo: rectificador de barrera Schottky; THT; 650V; 16A; 94W.
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Precio unitario: 8,876€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 240 |
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AIDW20S65C5XKSA1 |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, CoolSiC 5G 650V Series, Único, 650 V, 20 A, 29 nC, TO-247 Rango de Producto: CoolSiC 5G 650V Series Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 650V
Otros nombres: Diodo: rectificador de barrera Schottky; THT; 650V; 20A; 112W.
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Precio unitario: 11,010€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 240 |
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AIDW30S65C5XKSA1 |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, CoolSiC 5G 650V Series, Único, 650 V, 30 A, 43 nC, TO-247 Rango de Producto: CoolSiC 5G 650V Series Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 650V
Otros nombres: Diodo: rectificador de barrera Schottky; THT; 650V; 30A; 150W.
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Precio unitario: 16,965€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 240 |
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AIDW40S65C5XKSA1 |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, CoolSiC 5G 650V Series, Único, 650 V, 40 A, 56 nC, TO-247 Rango de Producto: CoolSiC 5G 650V Series Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 650V
Otros nombres: Diodo: rectificador de barrera Schottky; THT; 650V; 40A; 183W.
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Precio unitario: 23,067€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 240 |
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AIGW40N65F5XKSA1 |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, 74 A, 1.6 V, 250 W, 650 V, TO-247, 3 Pines Corriente de Colector DC: 74A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.6V Disipación de Potencia Pd: 250W
Otros nombres: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; Serie: F5.
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Precio unitario: 3,056€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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AIGW40N65H5XKSA1 |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, 74 A, 1.66 V, 250 W, 650 V, TO-247, 3 Pines Corriente de Colector DC: 74A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.66V Disipación de Potencia Pd: 250W
Otros nombres: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; Serie: H5.
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Precio unitario: 3,056€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 240 |
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AIGW50N65F5XKSA1 |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, 80 A, 1.66 V, 270 W, 650 V, TO-247, 3 Pines Corriente de Colector DC: 80A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.66V Disipación de Potencia Pd: 270W
Otros nombres: Transistor: IGBT; 650V; 53,5A; 136W; TO247-3; Serie: F5.
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Precio unitario: 3,211€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 224 |
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AIGW50N65H5XKSA1 |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, 80 A, 1.66 V, 270 W, 650 V, TO-247, 3 Pines Corriente de Colector DC: 80A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.66V Disipación de Potencia Pd: 270W
Otros nombres: Transistor: IGBT; 650V; 53,5A; 136W; TO247-3; Serie: H5.
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Precio unitario: 3,211€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 240 |
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AIKB20N60CTATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, 40 A, 1.5 V, 156 W, 600 V, TO-263, 3 Pines Corriente de Colector DC: 40A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.5V Disipación de Potencia Pd: 156W
Otros nombres: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; D2PAK.
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Precio unitario: 1,455€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1000 |