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Mostrando 23431 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SI4465ADY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
P CHANNEL MOSFET, -8V, 13.7A, SOIC Polaridad de Transistor: P Channel Corriente de Drenaje Continua Id: 13.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -8V |
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Precio unitario: 1,504€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 88 |
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SI4477DY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -26.6 A, -20 V, 0.0051 ohm, -4.5 V, -1.5 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -26.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V
Otros nombres: TMOSP10413.
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Precio unitario: 0,585€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 9209 |
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SI4488DY-T1-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 3.5 A, 150 V, 0.041 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 3.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 150V |
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Precio unitario: 0,744€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI4488DY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 5 A, 150 V, 0.041 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 150V |
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Precio unitario: 0,751€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI4490DY-T1-E3 |
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Fabricado por:
N CHANNEL MOSFET, 200V, 4A, SOIC Polaridad de Transistor: N Channel Corriente de Drenaje Continua Id: 4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 200V |
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Precio unitario: 0,999€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI4490DY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 2.85 A, 200 V, 0.065 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 2.85A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 200V |
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Precio unitario: 0,796€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI4497DY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -36 A, -30 V, 0.0027 ohm, -10 V, -2.5 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -36A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V
Otros nombres: P-Ch MOSFET SO-8 BWL 30V 3.3mohm @ 10V.
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Precio unitario: 0,938€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI4501ADY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 30V, SOIC Polaridad de Transistor: N and P Channel Corriente de Drenaje Continua Id: 6.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,725€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI4511DY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N y P, 7.2 A, 20 V, 0.0115 ohm, 10 V, 600 mV Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 7.2A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V |
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Precio unitario: 0,564€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI4532ADY-T1-E3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N y P, 4.9 A, 30 V, 0.044 ohm, 10 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 4.9A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: DUAL N/P CHANNEL MOSFET, FULL REEL.
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Precio unitario: 0,601€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI4532CDY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N y P, 6 A, 30 V, 0.038 ohm, 10 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, SI4532CDY-T1-GE3, Dual, N/P-Canal, 4,3 A, 6 A, 30 V, 8-Pin, SOIC Aislado Si.
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Precio unitario: 0,304€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 8161 |
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SI4532DY |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N y P, 3.9 A, 30 V, 0.053 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 3.9A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, SI4532DY, Dual, N/P-Canal, 3,5 A, 3,9 A, 30 V, 8-Pin, SOIC Aislado Si.
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Precio unitario: 0,316€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 12985 |
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SI4542DY |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N y P, 6 A, 30 V, 0.019 ohm, 10 V, 1.5 V Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, SI4542DY N/P-Canal, 6 A, 30 V, 8-Pin, SOIC, MOSFET, SI4542DY, N/P-Canal, 6 A, 30 V, 8-Pin, SOIC PowerTrench Simple Si.
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Precio unitario: 0,536€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2100 |
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SI4563DY-T1-E3 |
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Fabricado por:
DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 40V, SOIC Polaridad de Transistor: N and P Channel Corriente de Drenaje Continua Id: 8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V |
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Precio unitario: 0,854€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI4564DY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N y P, 10 A, 40 V, 0.0145 ohm, 10 V, 800 mV Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 10A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V
Otros nombres: MOSFET, SI4564DY-T1-GE3, Dual, N/P-Canal, 7,2 A, 8 A, 40 V, 8-Pin, SOIC Aislado Si.
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Precio unitario: 0,499€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1134 |