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Mostrando 23431 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SI4599DY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N y P, 6.8 A, 40 V, 0.0295 ohm, 10 V, 1.4 V Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 6.8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V
Otros nombres: MOSFET, SI4599DY-T1-GE3, Dual, N/P-Canal, 4,7 A, 6,8 A, 40 V, 8-Pin, SOIC Aislado Si.
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Precio unitario: 0,338€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 18100 |
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SI4686DY-T1-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 18.2 A, 30 V, 0.0078 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 18.2A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 14,5A; 3,3W; SO8.
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Precio unitario: 0,399€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 312 |
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SI4804CDY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 8 A, 30 V, 0.018 ohm, 10 V, 2.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,264€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5682 |
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SI4812BDY-T1-E3. |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 0,481€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI4812BDY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 9.5 A, 30 V, 0.013 ohm, 10 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 9.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,380€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 848 |
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SI4816BDY-T1-E3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, LITTLE FOOT, Canal N Doble, 5.8 A, 30 V, 0.0155 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 5.8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,597€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3403 |
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SI4816BDY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 5.8 A, 30 V, 0.0155 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 5.8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,688€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2260 |
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SI4825DDY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -14.9 A, -30 V, 0.01 ohm, -10 V, -1.4 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -14.9A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V
Otros nombres: P-Ch MOSFET SO-8 30V 13mohm @ 10V- Lead(.
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Precio unitario: 0,302€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4685 |
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SI4830CDY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 7.1 A, 30 V, 0.156 ohm, 10 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 7.1A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,542€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI4835DDY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -8.7 A, -30 V, 0.014 ohm, -10 V, -3 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -8.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V
Otros nombres: MOSFET, SI4835DDY-T1-GE3, P-Canal, 10,5 A, 30 V, 8-Pin, SOIC Simple Si.
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Precio unitario: 0,368€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3072 |
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SI4838BDY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 34 A, 12 V, 0.0021 ohm, 4.5 V, 400 mV Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 34A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 12V |
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Precio unitario: 1,116€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4491 |
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SI4840BDY-T1-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 19 A, 40 V, 0.0074 ohm, 10 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 19A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V |
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Precio unitario: 0,587€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 11735 |
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SI4840BDY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 19 A, 40 V, 0.0074 ohm, 10 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 19A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V
Otros nombres: MOSFET, SI4840BDY-T1-GE3, N-Canal-Canal, 10 A, 40 V, 8-Pin, SOIC Simple Si.
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Precio unitario: 0,581€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 9451 |
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SI4848ADY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 5.5 A, 150 V, 0.070 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 5.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 150V |
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Precio unitario: 0,210€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 289 |
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SI4848DY-T1-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 2.7 A, 150 V, 0.068 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 2.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 150V |
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Precio unitario: 1,125€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 233 |