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Mostrando 23431 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SI4848DY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 2.7 A, 150 V, 0.068 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 2.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 150V
Otros nombres: MOSFET, SI4848DY-T1-GE3, N-Canal-Canal, 2,7 A, 150 V, 8-Pin, SOIC Simple.
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Precio unitario: 1,116€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 7181 |
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SI4850BDY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 11.3 A, 60 V, 0.016 ohm, 10 V, 2.8 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 11.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V |
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Precio unitario: 0,312€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4990 |
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SI4850EY-T1-E3 |
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Fabricado por:
N CHANNEL MOSFET, 60V, 8.5A, SOIC-8, FULL REEL Polaridad de Transistor: N Channel Corriente de Drenaje Continua Id: 8.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 8.5 A, 60 V, 0.018 ohm, 10 V, 3 V.
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Precio unitario: 0,772€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5000 |
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SI4850EY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 6 A, 60 V, 0.018 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: MOSFET, SI4850EY-T1-GE3, N-Canal-Canal, 8,5 A, 60 V, 8-Pin, SOIC Simple Si.
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Precio unitario: 0,614€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4954 |
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SI4896DY-T1-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 9.5 A, 80 V, 0.0165 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 9.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 80V
Otros nombres: N-Ch MOSFET SO-8 80V 16.5mohm @ 10V Qg=.
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Precio unitario: 0,943€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 7480 |
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SI4896DY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 6.7 A, 80 V, 0.0135 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 6.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 80V |
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Precio unitario: 0,928€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 7553 |
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SI4900DY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 5.3 A, 60 V, 0.046 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 5.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: MOSFET, SI4900DY-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 4,3 A, 60 V, 8-Pin, SOIC Aislado Si, MOSFET, SI4900DY-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 4.3 A, 60 V, 8-Pin, SOIC Aislado Si.
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Precio unitario: 0,431€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2821 |
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SI4908DY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 5 A, 40 V, 0.048 ohm, 10 V, 2.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V |
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Precio unitario: 0,324€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI4909DY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal P Doble, -8 A, -40 V, 0.021 ohm, -10 V, -1.2 V Polaridad de Transistor: Canal P Doble Corriente de Drenaje Continua Id: -8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -40V
Otros nombres: MOSFET, SI4909DY-T1-GE3, Dual, P-Canal, 6,5 A, 40 V, 8-Pin, SOIC Aislado Si.
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Precio unitario: 0,357€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI4922BDY-T1-E3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 8 A, 30 V, 0.0135 ohm, 12 V, 1.8 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,824€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI4925BDY-T1-E3 |
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Fabricado por:
MOSFET, DUAL P CHANNEL, -30V, 0.01OHM, -5.3A, SOIC-8, FULL REEL Polaridad de Transistor: Dual P Channel Corriente de Drenaje Continua Id: -5.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V
Otros nombres: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -5,7A; 2W; SO8.
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Precio unitario: 1,164€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2500 |
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SI4925DDY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal P Doble, -8 A, -30 V, 0.024 ohm, -10 V, -3 V Polaridad de Transistor: Canal P Doble Corriente de Drenaje Continua Id: -8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V
Otros nombres: MOSFET, SI4925DDY-T1-GE3, Dual, P-Canal, 8 A, 30 V, 8-Pin, SOIC Aislado Si.
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Precio unitario: 0,443€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 11425 |
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SI4936CDY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 5.8 A, 30 V, 0.033 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 5.8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, SI4936CDY-T1-GE3 Dual, N-Canal, 5 A, 30 V, 8-Pin, SOIC.
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Precio unitario: 0,242€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2618 |
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SI4943CDY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal P Doble, -8 A, -20 V, 0.0275 ohm, -4.5 V, -1 V Polaridad de Transistor: Canal P Doble Corriente de Drenaje Continua Id: -8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V
Otros nombres: TMOSP9531.
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Precio unitario: 0,676€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1745 |
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SI4946BEY-T1-E3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 6.5 A, 60 V, 0.033 ohm, 20 V, 2.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 6.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: Dual N-Ch MOSFET SO-8 60V 41mohm @ 10V 1.
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Precio unitario: 0,597€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 49468 |