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Mostrando 23431 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SI4946BEY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 6.5 A, 60 V, 0.033 ohm, 10 V, 2.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 6.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: MOSFET, SI4946BEY-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 6,5 A, 60 V, 8-Pin, SOIC Aislado Si.
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Precio unitario: 0,638€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2088 |
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SI4946CDY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 6.1 A, 60 V, 0.033 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 6.1A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V |
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Precio unitario: 0,296€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 12078 |
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SI4948BEY-T1-E3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal P Doble, -2.4 A, -60 V, 0.1 ohm, -10 V, -3 V Polaridad de Transistor: Canal P Doble Corriente de Drenaje Continua Id: -2.4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -60V
Otros nombres: Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET.
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Precio unitario: 0,553€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 704 |
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SI4948BEY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal P Doble, -2.4 A, -60 V, 0.1 ohm, -10 V, -3 V Polaridad de Transistor: Canal P Doble Corriente de Drenaje Continua Id: -2.4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -60V
Otros nombres: MOSFET, SI4948BEY-T1-GE3, Dual, P-Canal, 3,1 A, 60 V, 8-Pin, SOIC Aislado Si.
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Precio unitario: 0,533€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3375 |
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SI4963BDY-T1-E3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal P Doble, -4.9 A, -20 V, 0.025 ohm, -2.5 V, -1.4 V Polaridad de Transistor: Canal P Doble Corriente de Drenaje Continua Id: -4.9A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V |
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Precio unitario: 0,552€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4740 |
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SI4963DY |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 0,618€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI5403DC-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, 6 A, -30 V, 0.025 ohm, -10 V, -3 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: 6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V
Otros nombres: STDMOS1494.
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Precio unitario: 0,396€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI5429DU-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, 12 A, -30 V, 0.0122 ohm, -10 V, -1 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: 12A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V |
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Precio unitario: 0,500€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 329 |
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SI5432DC-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 6 A, 20 V, 0.016 ohm, 4.5 V, 1.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V |
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Precio unitario: 0,224€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI5441BDC-T1-GE3 |
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Fabricado por:
P CHANNEL MOSFET, -20V, 61A, 1206 Polaridad de Transistor: P Channel Corriente de Drenaje Continua Id: -6.1A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V |
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Precio unitario: 0,750€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1284 |
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SI5448DU-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 25 A, 40 V, 0.00646 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 25A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V
Otros nombres: MOSFET, SI5448DU-T1-GE3, N-Canal, 25 A, 40 V, 8-Pin, PowerPAK ChipFET.
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Precio unitario: 0,191€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5749 |
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SI5475DDC-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -6 A, -12 V, 0.026 ohm, -4.5 V, -400 mV Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -12V |
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Precio unitario: 0,505€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI5513DC-T1-E3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N y P, 4.2 A, 20 V, 0.065 ohm, 4.5 V, 1.5 V Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 4.2A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V |
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Precio unitario: 0,171€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI5515CDC-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N y P, 4 A, 20 V, 0.03 ohm, 4.5 V, 400 mV Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V
Otros nombres: N/P-Ch 1206-8 ChipFET 20V 40/100mohm @.
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Precio unitario: 0,247€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2565 |
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SI5902DC-T1-E3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 2.9 A, 30 V, 0.072 ohm, 10 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 2.9A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,462€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 89 |