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Mostrando 23431 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SI5908DC-T1-E3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 4.4 A, 20 V, 0.032 ohm, 4.5 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 4.4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V |
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Precio unitario: 0,494€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 7317 |
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SI5922DU-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N, 6 A, 30 V, 0.0155 ohm, 10 V, 2.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 1,504€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 89 |
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SI5935CDC-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal P Doble, -4 A, -20 V, 0.083 ohm, -4.5 V, -1 V Polaridad de Transistor: Canal P Doble Corriente de Drenaje Continua Id: -4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V
Otros nombres: MOSFET, SI5935CDC-T1-GE3, Dual, P-Canal, 3,8 A, 20 V, 8-Pin, 1206 ChipFET Aislado Si.
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Precio unitario: 0,178€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI5997DU-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal P Doble, -6 A, -30 V, 0.045 ohm, -10 V, -1.2 V Polaridad de Transistor: Canal P Doble Corriente de Drenaje Continua Id: -6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V |
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Precio unitario: 0,402€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 149 |
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SI6423DQ-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -8.2 A, -12 V, 0.0068 ohm, -1.8 V, -800 mV Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -8.2A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -12V
Otros nombres: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -8,2A; Idm: -30A.
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Precio unitario: 0,625€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5464 |
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SI6562CDQ-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N y P, 6.7 A, 20 V, 0.18 ohm, 4.5 V, 600 mV Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 6.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V
Otros nombres: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 4,2/-4,9A.
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Precio unitario: 0,481€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 7729 |
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SI6926ADQ-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 4.1 A, 20 V, 0.024 ohm, 4.5 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 4.1A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V
Otros nombres: TMOSP9561.
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Precio unitario: 0,563€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5030 |
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SI6954ADQ-T1-E3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 3.1 A, 30 V, 0.044 ohm, 10 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 3.1A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,309€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2230 |
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SI6968BEDQ-T1-E3 |
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Fabricado por:
MOSFET, DUAL N CHANNEL, 20V, 5.2A, TSSOP-8 Polaridad de Transistor: Dual N Channel Corriente de Drenaje Continua Id: 5.2A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V |
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Precio unitario: 0,693€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2343 |
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SI6981DQ-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal P Doble, -4.1 A, -20 V, 0.026 ohm, -4.5 V, -900 mV Polaridad de Transistor: Canal P Doble Corriente de Drenaje Continua Id: -4.1A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V |
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Precio unitario: 0,634€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI7101DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -35 A, -30 V, 0.0058 ohm, -10 V, -1.2 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -35A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V |
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Precio unitario: 0,441€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3995 |
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SI7102DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 35 A, 12 V, 0.0031 ohm, 4.5 V, 400 mV Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 35A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 12V |
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Precio unitario: 0,672€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5 |
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SI7108DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
N CHANNEL MOSFET, 20V, 22A POWERPAK Polaridad de Transistor: N Channel Corriente de Drenaje Continua Id: 22A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 14 A, 20 V, 0.0041 ohm, 10 V, 2 V.
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Precio unitario: 1,242€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1809 |
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SI7111EDN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -60 A, -30 V, 0.0072 ohm, -4.5 V, -1.6 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V |
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Precio unitario: 2,056€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI7112DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 11.3 A, 30 V, 0.006 ohm, 10 V, 600 mV Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 11.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,831€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |