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Mostrando 23431 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SI7460DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, TrenchFET, Canal N, 11 A, 60 V, 0.008 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 11A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: TMOS6181.
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Precio unitario: 0,900€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3334 |
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SI7461DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, 8.6 A, -60 V, 0.0115 ohm, -10 V, -3 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: 8.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -60V
Otros nombres: TMOSP10372.
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Precio unitario: 0,850€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 20009 |
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SI7461DP-T1-GE3.. |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -8.6 A, -60 V, 0.0115 ohm, -10 V, -1 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -8.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -60V |
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Precio unitario: 0,813€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI7463ADP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -46 A, -40 V, 0.0083 ohm, -10 V, -2.3 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -46A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -40V
Otros nombres: TMOSP10814.
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Precio unitario: 0,501€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI7463DP-T1-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, 18.6 A, -40 V, 0.0075 ohm, 20 V, -3 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: 18.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -40V
Otros nombres: TMOSP9062.
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Precio unitario: 1,154€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6590 |
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SI7463DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, 11 A, -40 V, 0.0075 ohm, -10 V, -3 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: 11A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -40V
Otros nombres: STDMOS1610.
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Precio unitario: 1,145€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 92 |
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SI7465DP-T1-E3 |
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Fabricado por:
MOSFET, P CHANNEL, -60V, 0.051OHM, -3.2A Polaridad de Transistor: P Channel Corriente de Drenaje Continua Id: -3.2A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -60V
Otros nombres: TMOSP8539.
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Precio unitario: 0,517€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI7465DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, 3.2 A, -60 V, 0.051 ohm, -10 V, -3 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: 3.2A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -60V |
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Precio unitario: 0,496€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI7469DP-T1-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -28 A, -80 V, 0.021 ohm, -10 V, -3 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -28A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -80V
Otros nombres: MOSFET, SI7469DP-T1-E3, P-Canal, 28 A, 80 V, 8-Pin, PowerPAK SO TrenchFET Simple Si.
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Precio unitario: 1,057€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 132 |
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SI7469DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, TrenchFET, Canal P, -28 A, -80 V, 0.021 ohm, -10 V, -3 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -28A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -80V
Otros nombres: TMOSP10947.
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Precio unitario: 1,057€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3656 |
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SI7478DP-T1-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 15 A, 60 V, 0.006 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 15A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: N-Ch PowerPAK SO-8 60V 7.5mohm @ 10V- Le.
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Precio unitario: 1,145€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2917 |
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SI7489DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -28 A, -100 V, 0.033 ohm, -10 V, -3 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -28A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -100V
Otros nombres: P-Ch PowerPAK SO-8 100V 41mohm @ 10V.
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Precio unitario: 1,077€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI7540ADP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N y P, 8 A, 20 V, 0.0115 ohm, 4.5 V, 1.4 V Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V |
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Precio unitario: 0,718€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 32996 |
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SI7540DP-T1-E3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N y P, 11.8 A, 12 V, 0.017 ohm, 4.5 V, 1.5 V Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 11.8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 12V |
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Precio unitario: 0,905€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI7540DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N y P, 7.6 A, 12 V, 0.014 ohm, 4.5 V, 1.5 V Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 7.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 12V |
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Precio unitario: 0,683€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |