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Mostrando 23431 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SI7611DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, TrenchFET, Canal P, -18 A, -40 V, 0.021 ohm, -10 V, -3 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -18A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -40V
Otros nombres: TMOS3295.
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Precio unitario: 0,665€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI7615ADN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -35 A, -20 V, 0.0035 ohm, -10 V, -400 mV Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -35A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V
Otros nombres: MOSFET, SI7615ADN-T1-GE3, P-Canal, 35 A, 20 V, 8-Pin, PowerPAK 1212 Simple Si.
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Precio unitario: 0,243€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4290 |
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SI7617DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -35 A, -30 V, 0.0103 ohm, -10 V, -2.5 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -35A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V
Otros nombres: TMOS1174.
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Precio unitario: 0,318€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2214 |
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SI7619DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -24 A, -30 V, 0.0175 ohm, -10 V, -3 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -24A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V |
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Precio unitario: 0,258€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2975 |
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SI7623DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -35 A, -20 V, 0.0031 ohm, -10 V, -400 mV Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -35A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V |
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Precio unitario: 0,583€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1760 |
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SI7625DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -35 A, -30 V, 0.0088 ohm, -4.5 V, -1 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -35A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V |
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Precio unitario: 0,400€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2610 |
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SI7634BDP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 40 A, 30 V, 0.0058 ohm, 10 V, 1.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 40A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,799€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 42 |
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SI7635DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -40 A, -20 V, 0.004 ohm, -10 V, -2.2 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -40A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V
Otros nombres: MOSFET, SI7635DP-T1-GE3, P-Canal, 21 A, 20 V, 8-Pin, PowerPAK SO.
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Precio unitario: 0,463€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 306 |
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SI7658ADP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 60 A, 30 V, 0.0018 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: TMOSP12872.
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Precio unitario: 1,280€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 29 |
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SI7716ADN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 16 A, 30 V, 0.0105 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 16A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,369€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI7772DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 35.6 A, 30 V, 0.0105 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 35.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,230€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI7774DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 60 A, 30 V, 0.0031 ohm, 10 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,819€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI7812DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
N CHANNEL MOSFET, 75V, 16A POWERPAK Polaridad de Transistor: N Channel Corriente de Drenaje Continua Id: 16A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 75V
Otros nombres: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 7,2A; Idm: 25A; 33W.
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Precio unitario: 1,203€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 683 |
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SI7818DN-T1-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 2.2 A, 150 V, 0.112 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 2.2A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 150V
Otros nombres: TMOSP9206.
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Precio unitario: 0,547€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI7844DP-T1-E3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 10 A, 30 V, 0.022 ohm, 10 V, 2.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 10A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,687€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |