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Mostrando 23431 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SI7949DP-T1-E3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal P Doble, -3.2 A, -60 V, 0.051 ohm, -10 V, -3 V Polaridad de Transistor: Canal P Doble Corriente de Drenaje Continua Id: -3.2A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -60V
Otros nombres: MOSFET, SI7949DP-T1-E3, P-Canal, 12,5 A, 80 V, 8-Pin, PowerPAK SO Simple Si.
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Precio unitario: 0,651€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 7718 |
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SI7994DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 60 A, 30 V, 0.0046 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 2,716€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI7997DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal P Doble, -60 A, -30 V, 0.0045 ohm, -10 V, -2.2 V Polaridad de Transistor: Canal P Doble Corriente de Drenaje Continua Id: -60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V
Otros nombres: Dual P-Ch PowerPAK SO-8 30V 55mohm @ 10V.
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Precio unitario: 0,859€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3000 |
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SI8100DB-T2-E1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 9.5 A, 25 V, 0.009 ohm, 10 V, 1.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 9.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 25V |
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Precio unitario: 0,235€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 295 |
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SI8406DB-T2-E1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 16 A, 20 V, 0.026 ohm, 4.5 V, 400 mV Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 16A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V |
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Precio unitario: 0,179€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4685 |
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SI8410DB-T2-E1 |
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Fabricado por:
MOSFET, N-CH, 20V, 5.7A, TRENCHFET-4 Polaridad de Transistor: N Channel Corriente de Drenaje Continua Id: 5.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V |
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Precio unitario: 0,808€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2975 |
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SI8416DB-T2-E1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 16 A, 8 V, 0.019 ohm, 4.5 V, 350 mV Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 16A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 8V |
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Precio unitario: 0,200€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2067 |
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SI8424CDB-T1-E1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 10 A, 8 V, 0.015 ohm, 4.5 V, 800 mV Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 10A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 8V
Otros nombres: MOSFET, SI8424CDB-T1-E1, N-Canal-Canal, 10 A, 8 V, 4-Pin, MICRO FOOT Simple Si.
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Precio unitario: 0,184€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI8439DB-T1-E1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -9.2 A, -8 V, 0.02 ohm, -4.5 V, -400 mV Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -9.2A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -8V |
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Precio unitario: 0,242€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2822 |
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SI8483DB-T2-E1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -16 A, -12 V, 0.022 ohm, -4.5 V, -400 mV Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -16A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -12V
Otros nombres: P-Ch MOSFET MFOOT 1.5 x1 12V 26mohm @ 4.
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Precio unitario: 0,172€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 60 |
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SI8487DB-T1-E1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, 7.7 A, -30 V, 0.025 ohm, -10 V, -600 mV Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: 7.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V
Otros nombres: MOSFET, SI8487DB-T1-E1, P-Canal, 6,2 A, 30 V, 4-Pin, MICRO FOOT.
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Precio unitario: 0,192€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI8816EDB-T2-E1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 2.3 A, 30 V, 0.087 ohm, 10 V, 600 mV Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 2.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: TMOS2172.
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Precio unitario: 0,098€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI8821EDB-T2-E1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -2.3 A, -30 V, 0.105 ohm, -4.5 V, -600 mV Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -2.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V |
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Precio unitario: 0,109€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI8851EDB-T2-E1 |
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Fabricado por:
MOSFET, P CHANNEL, -20V, -16.7A, MICRO FOOT Polaridad de Transistor: P Channel Corriente de Drenaje Continua Id: -16.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V |
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Precio unitario: 0,322€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2938 |
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SI9407BDY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -4.7 A, -60 V, 0.1 ohm, -10 V, -3 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -4.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -60V
Otros nombres: MOSFET, SI9407BDY-T1-GE3, P-Canal, 3,8 A, 60 V, 8-Pin, SOIC Simple Si.
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Precio unitario: 0,364€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 9990 |