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Mostrando 23431 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SI9424BDY |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, 5.6 A, -20 V, 0.025 ohm, -4.5 V, -850 mV Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: 5.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V |
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Precio unitario: 0,495€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI9433BDY-T1-E3 |
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Fabricado por:
Polaridad de Transistor: P Channel Corriente de Drenaje Continua Id: -6.2A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V |
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Precio unitario: 0,614€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1173 |
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SI9433BDY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -4.5 A, -20 V, 0.03 ohm, -4.5 V, -1.5 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -4.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V |
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Precio unitario: 0,356€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 373 |
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SI9435BDY-T1-E3 |
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Fabricado por:
Polaridad de Transistor: P Channel Corriente de Drenaje Continua Id: -5.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V |
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Precio unitario: 0,381€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI9435BDY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Polaridad de Transistor: P Channel Corriente de Drenaje Continua Id: -4.1A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V |
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Precio unitario: 0,531€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2184 |
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SI9926CDY-T1-E3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 8 A, 20 V, 0.018 ohm, 4.5 V, 1.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V |
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Precio unitario: 0,474€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 13730 |
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SI9926CDY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 8 A, 20 V, 0.015 ohm, 4.5 V, 1.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V |
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Precio unitario: 0,427€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2620 |
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SI9933CDY-T1-E3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal P Doble, -4 A, -20 V, 0.048 ohm, -4.5 V, -1.4 V Polaridad de Transistor: Canal P Doble Corriente de Drenaje Continua Id: -4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V |
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Precio unitario: 0,246€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4609 |
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SI9933CDY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal P Doble, -4 A, -20 V, 0.048 ohm, -4.5 V, -1.4 V Polaridad de Transistor: Canal P Doble Corriente de Drenaje Continua Id: -4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V
Otros nombres: MOSFET, SI9933CDY-T1-GE3, Dual, P-Canal, 4 A, 20 V, 8-Pin, SOIC Aislado Si.
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Precio unitario: 0,260€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 7719 |
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SI9945BDY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 5.3 A, 60 V, 0.046 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 5.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: MOSFET, SI9945BDY-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 5,3 A, 60 V, 8-Pin, SOIC Aislado Si.
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Precio unitario: 0,309€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 18590 |
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SIA106DJ-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 12 A, 60 V, 0.0142 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 12A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V |
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Precio unitario: 0,259€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6000 |
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SIA108DJ-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 12 A, 80 V, 0.032 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 12A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 80V
Otros nombres: MOSFET, SIA108DJ-T1-GE3, N-Canal-Canal, 12 A, 80 V, 6-Pin, PowerPAK SC-70 Simple.
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Precio unitario: 0,249€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
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SIA110DJ-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 12 A, 100 V, 0.046 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 12A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V |
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Precio unitario: 0,299€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5975 |
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SIA413ADJ-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -12 A, -12 V, 0.024 ohm, -4.5 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -12A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -12V |
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Precio unitario: 0,293€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIA413DJ-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -12 A, -12 V, 0.024 ohm, -4.5 V, -1 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -12A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -12V |
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Precio unitario: 0,330€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |