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Mostrando 23431 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SIHB11N80E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 12 A, 800 V, 0.38 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 12A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 800V |
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Precio unitario: 1,795€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 944 |
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SIHB12N50E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 10.5 A, 500 V, 0.33 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 10.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 500V |
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Precio unitario: 0,926€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 747 |
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SIHB12N60E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 12 A, 600 V, 0.32 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 12A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Otros nombres: MOSFET, SIHB12N60E-GE3, N-Canal-Canal, 12 A, 600 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) E Series Simple Si.
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Precio unitario: 0,841€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1165 |
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SIHB12N65E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 12 A, 650 V, 0.33 ohm, 10 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 12A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V |
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Precio unitario: 1,222€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 289 |
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SIHB15N50E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 14.5 A, 500 V, 0.243 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 14.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 500V |
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Precio unitario: 1,009€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2068 |
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SIHB15N60E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 15 A, 600 V, 0.23 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 15A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Otros nombres: MOSFET, SIHB15N60E-GE3, N-Canal-Canal, 15 A, 600 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) E Series Simple Si.
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Precio unitario: 1,455€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 897 |
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SIHB180N60E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 19 A, 600 V, 0.155 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 19A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 1,300€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 24 |
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SIHB20N50E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 19 A, 500 V, 0.16 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 19A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 500V |
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Precio unitario: 1,853€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6927 |
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SIHB22N60AEL-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 21 A, 600 V, 0.155 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 21A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 1,882€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 49 |
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SIHB22N60E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 21 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 21A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Otros nombres: MOSFET, SIHB22N60E-GE3, N-Canal-Canal, 21 A, 600 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) E Series Simple Si.
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Precio unitario: 1,989€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3987 |
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SIHB22N60EF-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 19 A, 600 V, 0.158 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 19A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Otros nombres: MOSFET, SIHB22N60EF-GE3, N-Canal-Canal, 19 A, 600 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) Simple.
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Precio unitario: 1,678€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1047 |
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SIHB22N60S-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 22 A, 600 V, 0.16 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 22A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 1,407€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIHB22N65E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 22 A, 650 V, 0.15 ohm, 10 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 22A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V |
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Precio unitario: 1,756€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1448 |
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SIHB23N60E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 23 A, 600 V, 0.132 ohm, 10 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 23A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 1,795€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 211 |
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SIHB24N65E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 24 A, 650 V, 0.12 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 24A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V |
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Precio unitario: 2,735€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 997 |