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Mostrando 23431 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SIHB30N60AEL-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 28 A, 600 V, 0.105 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 28A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 2,774€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2 |
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SIHB30N60E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 29 A, 600 V, 0.104 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 29A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Otros nombres: MOSFET, SIHB30N60E-GE3, N-Canal-Canal, 29 A, 600 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) E Series Simple Si.
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Precio unitario: 1,901€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIHB33N60E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 33 A, 600 V, 0.083 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 33A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Otros nombres: TMOSP10873.
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Precio unitario: 4,268€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1633 |
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SIHB35N60EF-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 32 A, 600 V, 0.084 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 32A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 2,483€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
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SIHB4N80E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 4.3 A, 800 V, 1.1 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 4.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 800V |
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Precio unitario: 0,910€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1035 |
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SIHB6N65E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 7 A, 650 V, 0.5 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V |
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Precio unitario: 0,754€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 65 |
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SIHB6N80E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 5.4 A, 800 V, 0.82 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 5.4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 800V |
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Precio unitario: 1,037€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1041 |
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SIHD12N50E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 10.5 A, 500 V, 0.33 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 10.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 500V |
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Precio unitario: 0,581€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3931 |
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SIHD186N60EF-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 19 A, 600 V, 0.175 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 19A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Otros nombres: MOSFET, SIHD186N60EF-GE3, N-Canal-Canal, 19 A, 600 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) Simple.
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Precio unitario: 1,775€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIHD1K4N60E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 4.2 A, 600 V, 1.3 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 4.2A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 0,357€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 45 |
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SIHD240N60E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 12 A, 600 V, 0.208 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 12A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Otros nombres: TMOS3399.
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Precio unitario: 0,931€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
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SIHD2N80E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 2.8 A, 800 V, 2.38 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 2.8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 800V |
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Precio unitario: 0,485€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2990 |
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SIHD3N50D-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 3 A, 500 V, 2.6 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 500V
Otros nombres: MOSFET, SIHD3N50D-GE3, N-Canal-Canal, 3 A, 500 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) D Series Simple Si.
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Precio unitario: 0,257€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 8739 |
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SIHD4N80E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 4.3 A, 800 V, 1.1 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 4.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 800V |
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Precio unitario: 0,649€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2990 |
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SIHD5N50D-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 5.3 A, 500 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 5.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 500V |
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Precio unitario: 0,399€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2838 |