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Mostrando 23431 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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2DD2679-13 |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 30 V, 240 MHz, 900 mW, 1.5 A, 270 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 30V Frecuencia de Transición ft: 240MHz
Otros nombres: Transistor, 2DD2679-13, NPN 2 A 30 V SOT-89, 3 pines, Simple, Transistor: NPN; bipolar; 30V; 2A; 900mW; SOT89.
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Precio unitario: 0,097€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1389 |
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2KBP005M-E4/51 |
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Fabricado por:
Diodo Rectificador de Puente, Una Fase, 50 V, 2 A, SIP, 1.1 V, 4 Pines Núm. de Fases: Una Fase Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 50V Corriente Directa If(AV): 2A
Otros nombres: Rectificador en puente, 2KBP005M-E4/51, Monofásico, 2A 50V, Conexión de silicio KBPM, 4 pines.
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Precio unitario: 0,345€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 154 |
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2KBP01M-E4/51 |
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Fabricado por:
Diodo Rectificador de Puente, Una Fase, 100 V, 2 A, SIP, 1.1 V, 4 Pines Núm. de Fases: Una Fase Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 100V Corriente Directa If(AV): 2A |
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Precio unitario: 0,277€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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2KBP02M-E4/51 |
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Fabricado por:
BRIDGE RECTIFIER, SINGLE PHASE, 2A, 200V Núm. de Fases: Single Phase Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 200V Corriente Directa If(AV): 2A |
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Precio unitario: 0,298€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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2KBP04M-E4/51 |
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Fabricado por:
Diodo Rectificador de Puente, Una Fase, 400 V, 2 A, SIP, 1.1 V, 4 Pines Núm. de Fases: Una Fase Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 400V Corriente Directa If(AV): 2A
Otros nombres: BG3842, Rectificador en puente, 2KBP04M-E4/51, Monofásico, 2A 400V, Conexión de silicio KBPM, 4 pines.
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Precio unitario: 0,324€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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2KBP06M-E4/45 |
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Fabricado por:
Diodo Rectificador de Puente, Una Fase, 600 V, 2 A, SIP, 1.1 V, 4 Pines Núm. de Fases: Una Fase Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 600V Corriente Directa If(AV): 2A |
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Precio unitario: 0,301€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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2KBP06M-E4/51 |
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Fabricado por:
Diodo Rectificador de Puente, Una Fase, 600 V, 2 A, SIP, 1.1 V, 4 Pines Núm. de Fases: Una Fase Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 600V Corriente Directa If(AV): 2A |
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Precio unitario: 0,315€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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2KBP08M-E4/51 |
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Fabricado por:
Diodo Rectificador de Puente, Una Fase, 800 V, 2 A, SIP, 1.1 V, 4 Pines Núm. de Fases: Una Fase Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 800V Corriente Directa If(AV): 2A
Otros nombres: Rectificador en puente, 2KBP08M-E4/51, Monofásico, 2A 800V, Conexión de silicio KBPM, 4 pines.
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Precio unitario: 0,304€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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2KBP10M-E4/45 |
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Fabricado por:
Diodo Rectificador de Puente, Una Fase, 1 kV, 2 A, SIP, 1.1 V, 4 Pines Núm. de Fases: Una Fase Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 1kV Corriente Directa If(AV): 2A |
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Precio unitario: 0,392€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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2KBP10M-E4/51 |
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Fabricado por:
Diodo Rectificador de Puente, Una Fase, 1 kV, 2 A, SIP, 1.1 V, 4 Pines Núm. de Fases: Una Fase Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 1kV Corriente Directa If(AV): 2A |
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Precio unitario: 0,302€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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2MBI100TA-060-50 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 100 A, 2.4 V, 310 W, 600 V, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 100A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.4V
Otros nombres: Módulo IGBT, 2MBI100TA-060-50, N-Canal, 100 A, 600 V, M232, 7-Pines Serie.
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Precio unitario: 42,816€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 658 |
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2MBI100U4A-120-50 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 150 A, 2.2 V, 540 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 150A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.2V
Otros nombres: Módulo IGBT, 2MBI100U4A-120-50, Serie, 100 A, 1.200 V, N-Canal, M232, 7-Pines.
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Precio unitario: 43,729€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 110 |
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2MBI100VA-060-50 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 100 A, 1.6 V, 650 W, 600 V, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 100A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.6V
Otros nombres: Módulo IGBT, 2MBI100VA-060-50, N-Canal, 100 A, 600 V, M263, 7-Pines Serie.
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Precio unitario: 48,878€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 34 |
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2MBI100VA-120-50 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 100 A, 1.75 V, 555 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 100A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V
Otros nombres: Módulo IGBT, 2MBi100VA-120-50, Serie, 100 A, 1.200 V, N-Canal, M263, 7-Pines.
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Precio unitario: 40,290€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 59 |
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2MBI1200U4G-120 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 1.6 kA, 2.22 V, 6.25 kW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Colector DC: 1.6kA Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.22V |
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Precio unitario: 522,830€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |