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Mostrando 23431 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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2MBI450VN-120-50 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 450 A, 1.2 kV, 2.27 W, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 450A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.2kV
Otros nombres: Módulo IGBT, 2MBI450VN-120-50, N-Canal, 450 A, 1.200 V, M254, 11-Pines Serie.
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Precio unitario: 136,770€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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2MBI600VE-120-50 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 700 A, 1.75 V, 4.8 kW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 700A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V
Otros nombres: Módulo IGBT, 2MBi600VE-120-50, Serie, 700 A, 1.200 V, N-Canal, M277, 7-Pines.
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Precio unitario: 194,970€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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2MBI600VN-120-50 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 750 A, 1.85 V, 3.75 kW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 750A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V |
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Precio unitario: 233,770€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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2MBI650VXA-170E-50 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Dual Pack, Canal N Doble, 900 A, 2.1 V, 4.15 kW, 1.7 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Colector DC: 900A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.1V |
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Precio unitario: 214,554€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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2MBI75VA-120-50 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 75 A, 1.85 V, 390 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 75A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V
Otros nombres: Módulo IGBT, 2MBi75VA-120-50, Serie, 75 A, 1.200 V, N-Canal, M263, 7-Pines.
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Precio unitario: 73,450€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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2MBI900VXA-120P-50 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Dual Pack, Canal N Doble, 1.2 kA, 1.75 V, 5.1 kW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Colector DC: 1.2kA Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V |
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Precio unitario: 218,918€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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2N2222A |
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Fabricado por:
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 40V, TO-18 Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 40V Frecuencia de Transición ft: 300MHz
Otros nombres: 2N2222A, Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0,8A; 500mW; TO18.
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Precio unitario: 0,640€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1963 |
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2N2222ACSM |
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Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 40 V, 500 mW, 800 mA, 100 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 40V Disipación de Potencia Pd: 500mW
Otros nombres: Transistor, 2N2222ACSM , NPN 800 mA 40 V LCC 1, 3 pines, 250 MHz, Simple, Transistor, 2N2222ACSM, NPN 800 mA 40 V LCC 1, 3 pines, 250 MHz, Simple.
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Precio unitario: 10,612€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 254 |
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2N2323 |
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Fabricado por:
Corriente de Disparo de Puerta Máx. Igt: 200µA Corriente en Estado Conductor IT(rms): 1.6A Encapsulado del Tiristor: TO-5 |
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Precio unitario: 6,227€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 179 |
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2N2324 |
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Fabricado por:
Corriente de Disparo de Puerta Máx. Igt: 200µA Corriente en Estado Conductor IT(rms): 1.6A Encapsulado del Tiristor: TO-5 |
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Precio unitario: 6,227€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 121 |
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2N2326 |
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Fabricado por:
SCR THYRISTOR, 1.6A, 200V, TO-5 Corriente de Disparo de Puerta Máx. Igt: 200µA Corriente en Estado Conductor IT(rms): 1.6A Encapsulado del Tiristor: TO-5 |
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Precio unitario: 6,227€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 593 |
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2N2369ACSM |
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Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 15 V, 360 mW, 200 mA, 40 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 15V Disipación de Potencia Pd: 360mW
Otros nombres: Transistor, 2N2369ACSM, NPN 200 mA 15 V HFE:40 LCC 1, 3 pines,.
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Precio unitario: 16,403€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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2N2907ACSM |
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Transistor de Unión Bipolar Único, PNP, -60 V, 500 mW, -600 mA, 100 hFE Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -60V Disipación de Potencia Pd: 500mW
Otros nombres: Transistor, 2N2907ACSM , PNP 600 mA 60 V LCC 1, 3 pines, Simple, Transistor, 2N2907ACSM, PNP 600 mA 60 V LCC 1, 3 pines, Simple.
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Precio unitario: 10,534€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 87 |
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2N2920 |
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Fabricado por:
Array de Transistores Bipolares, NPN, 60 V, 500 mW, 30 mA, 300 hFE, TO-206AF Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 60V Disipación de Potencia Pd: 500mW |
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Precio unitario: 9,632€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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2N2920A |
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Fabricado por:
Array de Transistores Bipolares, NPN, 60 V, 500 mW, 30 mA, 300 hFE, TO-206AF Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 60V Disipación de Potencia Pd: 500mW |
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Precio unitario: 8,982€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 30 |