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Mostrando 23431 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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FERD40H100SG-TR |
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Fabricado por:
Diodo de Recuperación Estándar, 100 V, 40 A, Único, 675 mV, 440 A Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 100V Corriente Directa If(AV): 40A Configuración de Diodo: Único
Otros nombres: DSGL6002, Diodo, FERD40H100SG-TR, 40A, 100V, D2PAK (TO-263), 3-Pines, Conexión de silicio, Diodo: rectificador; SMD; 100V; 40A; D2PAK; Ufmax: 0,325V; Ifsm: 440A.
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Precio unitario: 0,533€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2683 |
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FES10D |
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Fabricado por:
Diodo Rápido / Ultrarápido, 200 V, 10 A, Único, 950 mV, 40 ns, 150 A Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 200V Corriente Directa If(AV): 10A Configuración de Diodo: Único |
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Precio unitario: 0,351€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FES10J |
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Fabricado por:
Diodo Rápido / Ultrarápido, 600 V, 10 A, Único, 1.8 V, 40 ns, 150 A Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 600V Corriente Directa If(AV): 10A Configuración de Diodo: Único |
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Precio unitario: 0,318€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4700 |
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FES16JT-E3/45. |
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Fabricado por:
FAST DIODE, 16A, 600V, TO-220AC Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 600V Corriente Directa If(AV): 16A Configuración de Diodo: Single |
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Precio unitario: 0,684€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1641 |
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FES6J |
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Fabricado por:
Diodo Rápido / Ultrarápido, 600 V, 6 A, Único, 2.2 V, 45 ns, 80 A Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 600V Corriente Directa If(AV): 6A Configuración de Diodo: Único |
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Precio unitario: 0,223€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5000 |
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FESB16DT-E3/81 |
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Fabricado por:
Diodo Rápido / Ultrarápido, 200 V, 16 A, Único, 975 mV, 35 ns, 250 A Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 200V Corriente Directa If(AV): 16A Configuración de Diodo: Único
Otros nombres: DSGLP6526, Diodo, FESB16DT-E3/81, Conmutación, 16A, 200V, 35ns, D2PAK (TO-263), 3-Pines, Conexión de silicio.
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Precio unitario: 0,728€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3880 |
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FESB16JT-E3/81 |
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Fabricado por:
Diodo Rápido / Ultrarápido, 600 V, 16 A, Único, 1.5 V, 50 ns, 250 A Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 600V Corriente Directa If(AV): 16A Configuración de Diodo: Único |
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Precio unitario: 0,723€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3725 |
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FF1000R17IE4BOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 1.39 kA, 2 V, 6.25 kW, 1.7 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 1.39kA Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2V
Otros nombres: Módulo IGBT, FF1000R17IE4BOSA1, N-Canal, 1 kA, 1.700 V, PrimePACK3, 10-Pines Serie, Módulo IGBT, FF1000R17IE4BOSA1, N-Canal, 1 kA, 1700 V, PrimePACK3, 10-Pines Serie.
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Precio unitario: 562,600€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FF100R12KS4HOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 150 A, 3.2 V, 780 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 150A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 3.2V |
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Precio unitario: 71,644€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 7 |
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FF100R12RT4HOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 100 A, 1.75 V, 555 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 100A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V
Otros nombres: Módulo IGBT, FF100R12RT4HOSA1, N-Canal, 100 A, 1.200 V, AG-34MM-1 Serie.
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Precio unitario: 42,641€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 18 |
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FF1200R12IE5BPSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 1.2 kA, 1.7 V, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 1.2kA Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.7V |
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Precio unitario: 603,340€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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FF1200R12IE5PBPSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 1.2 kA, 1.7 V, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Colector DC: 1.2kA Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.7V |
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Precio unitario: 604,310€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FF1400R12IP4BOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 1.4 kA, 1.75 V, 7.65 kW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 1.4kA Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V
Otros nombres: Módulo IGBT, FF1400R12IP4BOSA1, N-Canal, 1,4 kA, 1.200 V, AG-PRIME3-1 Serie.
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Precio unitario: 581,760€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FF1400R17IP4BOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 1.4 kA, 1.75 V, 9.55 kW, 1.7 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 1.4kA Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V
Otros nombres: Módulo IGBT, FF1400R17IP4BOSA1, Serie, 1,4 kA, 1700 V, N-Canal, AG-PRIME3-1.
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Precio unitario: 701,310€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FF150R12KE3GHOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 225 A, 1.7 V, 780 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 225A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.7V |
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Precio unitario: 79,763€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3 |