Inicio » Semiconductores - Discretos
Mostrando 23431 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
|---|---|---|---|---|---|
|
FF150R12KS4HOSA1 |
|
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 225 A, 3.2 V, 1.25 kW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 225A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 3.2V
Otros nombres: Módulo IGBT, FF150R12KS4HOSA1, N-Canal, 225 A, 1.200 V, Módulo 62MM, 7-Pines, 1MHZ Serie.
|
|
Precio unitario: 80,714€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
FF150R12KT3GHOSA1 |
|
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 225 A, 1.7 V, 780 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 225A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.7V |
|
Precio unitario: 79,365€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 8 |
|
|
FF150R12MS4GBOSA1 |
|
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 225 A, 3.2 V, 1.25 kW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 225A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 3.2V |
|
Precio unitario: 93,120€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 7 |
|
|
FF150R12RT4HOSA1 |
|
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 150 A, 1.75 V, 790 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 150A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V
Otros nombres: Módulo IGBT, FF150R12RT4HOSA1, N-Canal, 150 A, 1.200 V, AG-34MM-1 Serie.
|
|
Precio unitario: 52,293€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3 |
|
|
FF150R17KE4HOSA1 |
|
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, NPN Doble, 250 A, 1.95 V, 1.1 kW, 1.7 kV, Module Polaridad de Transistor: NPN Doble Corriente de Colector DC: 250A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.95V |
|
Precio unitario: 81,691€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
FF1800R17IP5BPSA1 |
|
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 1.8 kA, 1.75 V, 1.7 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 1.8kA Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V |
|
Precio unitario: 1,090,280€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
FF200R06KE3HOSA1 |
|
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 260 A, 1.45 V, 680 W, 600 V, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 260A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.45V |
|
Precio unitario: 73,497€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 30 |
|
|
FF200R12KE3HOSA1 |
|
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 295 A, 1.7 V, 1.05 kW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 295A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.7V
Otros nombres: Módulo IGBT, FF200R12KE3HOSA1, N-Canal, 295 A, 1.200 V, Módulo 62MM, 7-Pines, 1MHZ Serie.
|
|
Precio unitario: 87,882€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 32 |
|
|
FF200R12KE4HOSA1 |
|
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, NPN Doble, 240 A, 1.75 V, 1.1 kW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: NPN Doble Corriente de Colector DC: 240A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V |
|
Precio unitario: 75,127€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 7 |
|
|
FF200R12KS4HOSA1 |
|
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 275 A, 3.2 V, 1.4 kW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 275A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 3.2V
Otros nombres: Módulo IGBT, FF200R12KS4HOSA1, N-Canal, 275 A, 1.200 V, AG-62MM-1 Serie.
|
|
Precio unitario: 92,858€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5 |
|
|
FF200R12KT3HOSA1 |
|
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 295 A, 1.7 V, 1.05 kW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 295A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.7V |
|
Precio unitario: 87,397€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 10 |
|
|
FF200R12KT4HOSA1 |
|
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, NPN Doble, 320 A, 1.75 V, 1.1 kW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: NPN Doble Corriente de Colector DC: 320A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V
Otros nombres: Módulo IGBT, FF200R12KT4HOSA1, N-Canal, 320 A, 1.200 V, Módulo 62MM, 3-Pines Serie.
|
|
Precio unitario: 74,380€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
FF200R17KE3HOSA1 |
|
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 310 A, 2 V, 1.25 kW, 1.7 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 310A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2V |
|
Precio unitario: 117,370€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 53 |
|
|
FF200R17KE4HOSA1 |
|
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, NPN Doble, 310 A, 1.95 V, 1.25 kW, 1.7 kV, Module Polaridad de Transistor: NPN Doble Corriente de Colector DC: 310A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.95V |
|
Precio unitario: 94,119€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
FF225R12ME4BOSA1 |
|
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 320 A, 1.85 V, 1.05 kW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 320A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V |
|
Precio unitario: 90,210€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |