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SKU Imagen Nombre de producto Datasheet Entrega y precio
FF450R17ME4B11BOSA1
FF450R17ME4B11BOSA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 600 A, 1.95 V, 2.5 kW, 1.7 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 600A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.95V

Precio unitario: 197,880€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 3
FF450R17ME4BOSA1
FF450R17ME4BOSA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 600 A, 1.95 V, 2.5 kW, 1.7 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 600A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.95V

Precio unitario: 189,150€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 16
FF450R17ME4PB11BOSA1
FF450R17ME4PB11BOSA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 450 A, 1.95 V, 1.7 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 450A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.95V

Precio unitario: 208,550€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 6
FF450R33T3E3B5BPSA1
FF450R33T3E3B5BPSA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 450 A, 2.5 V, 3.3 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 450A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.5V

Precio unitario: 1,155,270€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: Sí
FF450R33T3E3BPSA1
FF450R33T3E3BPSA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 450 A, 2.5 V, 3.3 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 450A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.5V

Precio unitario: 1,027,230€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 5
FF500R17KE4BOSA1
FF500R17KE4BOSA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 500 A, 1.95 V, 1.7 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Colector DC: 500A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.95V

Precio unitario: 186,240€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
FF50R12RT4HOSA1
FF50R12RT4HOSA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 50 A, 1.85 V, 285 W, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 50A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V

Precio unitario: 37,355€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 23
FF600R07ME4B11BOSA1
FF600R07ME4B11BOSA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 700 A, 1.55 V, 1.8 kW, 650 V, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 700A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.55V

Precio unitario: 132,300€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
FF600R12IE4BOSA1
FF600R12IE4BOSA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 600 A, 1.75 V, 3.35 kW, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 600A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V

Precio unitario: 351,140€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
FF600R12KE4BOSA1
FF600R12KE4BOSA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Zanja/Límite de Campo, Canal N, 600 A, 1.75 V, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 600A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V

Precio unitario: 154,230€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 21
FF600R12KE4EBOSA1
FF600R12KE4EBOSA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 600 A, 1.75 V, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Colector DC: 600A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V

Precio unitario: 148,410€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 13
FF600R12ME4AB11BOSA1
FF600R12ME4AB11BOSA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 950 A, 1.75 V, 3.35 kW, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 950A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V

Precio unitario: 242,500€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
FF600R12ME4B11BPSA1
FF600R12ME4B11BPSA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 600 A, 1.75 V, 4.05 kW, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 600A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V

Precio unitario: 194€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 2
FF600R12ME4BOSA1
FF600R12ME4BOSA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 995 A, 1.75 V, 4.05 kW, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 995A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V

Precio unitario: 196,800€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
FF600R12ME4EB11BOSA1
FF600R12ME4EB11BOSA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 600 A, 1.75 V, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Colector DC: 600A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V

Precio unitario: 189,120€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 3