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Mostrando 23431 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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FF600R12ME4PB11BOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 600 A, 1.75 V, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 600A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V |
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Precio unitario: 201,760€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4 |
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FF600R17ME4B11BOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 950 A, 1.95 V, 1.7 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 950A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.95V |
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Precio unitario: 256,080€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FF600R17ME4BOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 950 A, 1.95 V, 1.7 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 950A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.95V |
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Precio unitario: 241,530€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FF600R17ME4PB11BOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 600 A, 1.95 V, 1.7 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 600A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.95V |
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Precio unitario: 263,840€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FF650R17IE4BOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 930 A, 2 V, 4.15 kW, 1.7 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 930A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2V |
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Precio unitario: 402,550€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FF650R17IE4D_B2 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 650 A, 2 V, 4.15 kW, 1.7 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 650A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2V
Otros nombres: IGBT3215.
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Precio unitario: 485€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FF75R12RT4HOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 75 A, 1.85 V, 395 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 75A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V
Otros nombres: Módulo IGBT, FF75R12RT4HOSA1, N-Canal, 75 A, 1.200 V, Módulo 34MM, 7-Pines Serie.
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Precio unitario: 42,854€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 10 |
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FF800R17KE3NOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 1.15 kA, 2 V, 4.45 kW, 1.7 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 1.15kA Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2V |
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Precio unitario: 706,160€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2 |
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FF900R12IE4BOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 900 A, 1.75 V, 5.1 kW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 900A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V
Otros nombres: Módulo IGBT, FF900R12IE4BOSA1, N-Canal, 900 MHZ, 1.200 V, PrimePACK2, 10-Pines Serie.
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Precio unitario: 434,560€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FF900R12IE4PBOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 900 A, 1.7 V, 5.1 kW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 900A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.7V |
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Precio unitario: 427,770€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4 |
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FF900R12IP4BOSA2 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 900 A, 1.7 V, 5.1 kW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 900A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.7V |
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Precio unitario: 434,560€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FFAF60UA60DN |
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Fabricado por:
Diodo de Recuperación Estándar, 600 V, 60 A, Cátodo Común Doble, 2.2 V, 90 ns, 180 A Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 600V Corriente Directa If(AV): 60A Configuración de Diodo: Cátodo Común Doble |
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Precio unitario: 0,838€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 7 |
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FFB20UP20STM |
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Fabricado por:
Diodo Rápido / Ultrarápido, 200 V, 20 A, Único, 1.15 V, 45 ns, 200 A Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 200V Corriente Directa If(AV): 20A Configuración de Diodo: Único
Otros nombres: Diodo, FFB20UP20STM, Recuperación rápida, 20A, 200V, D2PAK, 3-Pines, Conexión de silicio.
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Precio unitario: 0,512€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 691 |
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FFB2222A |
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Fabricado por:
Array de Transistores Bipolares, NPN, 40 V, 300 mW, 500 mA, 300 hFE, SC-70 Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 40V Disipación de Potencia Pd: 300mW
Otros nombres: Transistor, FFB2222A, NPN 500 mA 40 V Dual SOT-363 (SC-70), 6 pines, 300 MHz, Aislado, Transistor, FFB2222A, NPN 500 mA 40 V HFE:100 Dual SOT-363 (SC-70), 6 pines, 300 MHz,.
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Precio unitario: 0,055€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FFB2227A |
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Fabricado por:
Array de Transistores Bipolares, NPN, PNP, 30 V, 300 mW, 500 mA, 100 hFE, SC-70 Polaridad de Transistor: NPN, PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 30V Disipación de Potencia Pd: 300mW
Otros nombres: Array de Transistores Bipolares, NPN, PNP, 30 V, 300 mW, 500 mA, 30 hFE, SC-70, Transistor, FFB2227A, NPN + PNP 500 mA 30 V Dual SOT-363 (SC-70), 6 pines, 100 MHz, Aislado.
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Precio unitario: 0,076€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |