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Mostrando 23431 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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FW276-TL-2H |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 700 mA, 450 V, 9.3 ohm, 10 V, 4.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 700mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 450V
Otros nombres: MOSFET, FW276-TL-2H, Dual, N-Canal-Canal, 700 mA, 450 V, 8-Pin, SOIC Aislado Si.
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Precio unitario: 0,235€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FW389-TL-2W |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Doble Canal N y P, 2 A, 100 V, 0.165 ohm, 10 V Polaridad de Transistor: Doble Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 2A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V |
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Precio unitario: 0,327€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 11594 |
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FYD0504SATM |
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Fabricado por:
Rectificador Schottky, 40 V, 5 A, Único, TO-252, 3 Pines, 670 mV Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 40V Corriente Directa If(AV): 5A Configuración de Diodo: Único
Otros nombres: Diodo, FYD0504SATM, 5A, 40V, DPAK (TO-252), 3-Pines.
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Precio unitario: 0,210€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 526 |
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FYP2010DNTU |
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Fabricado por:
Rectificador Schottky, 100 V, 20 A, Cátodo Común Doble, TO-220AB, 3 Pines, 770 mV Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 100V Corriente Directa If(AV): 20A Configuración de Diodo: Cátodo Común Doble
Otros nombres: Diodo: rectificador de barrera Schottky; THT; 100V; 2x10A.
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Precio unitario: 0,571€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 109 |
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FYPF2004DNTU |
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Fabricado por:
SCHOTTKY RECT, DUAL, 40V, TO-220F-3 Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 40V Corriente Directa If(AV): 20A Configuración de Diodo: Dual Common Cathode |
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Precio unitario: 0,582€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FYPF2010DNTU |
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Fabricado por:
Rectificador Schottky, 100 V, 20 A, Cátodo Común Doble, TO-220F, 3 Pines, 750 mV Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 100V Corriente Directa If(AV): 20A Configuración de Diodo: Cátodo Común Doble |
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Precio unitario: 0,484€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 946 |
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FYV0704SMTF |
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Fabricado por:
Rectificador Schottky, 40 V, 750 mA, Único, SOT-23, 3 Pines, 480 mV Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 40V Corriente Directa If(AV): 750mA Configuración de Diodo: Único
Otros nombres: Diodo, FYV0704SMTF, 750mA, 40V, SOT-23, 3-Pines.
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Precio unitario: 0,082€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6807 |
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FZ1600R17KE3NOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 2.3 kA, 2 V, 8.95 kW, 1.7 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 2.3kA Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2V |
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Precio unitario: 724,590€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FZ2400R17HP4B29BOSA2 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 2.4 kA, 1.9 V, 15.5 kW, 1.7 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 2.4kA Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.9V |
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Precio unitario: 1,065,060€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2 |
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FZ3600R17HP4B2BOSA2 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 3.6 kA, 1.9 V, 19.5 kW, 1.7 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 3.6kA Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.9V |
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Precio unitario: 1,487,980€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FZ400R12KE3HOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 650 A, 1.7 V, 2.25 kW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 650A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.7V
Otros nombres: Módulo IGBT, FZ400R12KE3HOSA1, N-Canal, 650 A, 1.200 V, Módulo 62MM, 5-Pines, 1MHZ Simple.
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Precio unitario: 88,600€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 31 |
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FZ400R12KE4HOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 400 A, 1.75 V, 2.4 kW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 400A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V |
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Precio unitario: 84,351€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 31 |
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FZ400R12KS4HOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 510 A, 3.2 V, 2.5 kW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 510A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 3.2V
Otros nombres: Módulo: IGBT; transistor individual; Urmax: 1,2kV; Ic: 400A; 2,5kW.
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Precio unitario: 95,933€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FZ400R17KE3HOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 620 A, 2 V, 2.25 kW, 1.7 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 620A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2V |
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Precio unitario: 110,580€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FZ400R17KE4HOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 550 A, 1.95 V, 2.5 kW, 1.7 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 550A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.95V |
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Precio unitario: 102,820€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |