Inicio » Semiconductores - Discretos

Mostrando 23431 referencias.

SKU Imagen Nombre de producto Datasheet Entrega y precio
FZ600R12KE3HOSA1
FZ600R12KE3HOSA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 900 A, 1.7 V, 2.8 kW, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 900A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.7V

Otros nombres: Módulo: IGBT; transistor individual; Urmax: 1,2kV; Ic: 600A; 2,8kW.

Precio unitario: 117,370€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 17
FZ600R12KE4HOSA1
FZ600R12KE4HOSA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 600 A, 1.75 V, 3 kW, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 600A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V

Precio unitario: 97,970€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 32
FZ600R12KS4HOSA1
FZ600R12KS4HOSA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 700 A, 3.2 V, 3.9 kW, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 700A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 3.2V

Otros nombres: Módulo IGBT, FZ600R12KS4HOSA1, N-Canal, 700 A, 1.200 V, AG-62MM-2 Simple.

Precio unitario: 121,250€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
FZ600R17KE3HOSA1
FZ600R17KE3HOSA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 840 A, 2 V, 3.15 kW, 1.7 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 840A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2V

Precio unitario: 147,440€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
FZ600R17KE4HOSA1
FZ600R17KE4HOSA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 840 A, 1.95 V, 3.35 kW, 1.7 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 840A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.95V

Precio unitario: 124,160€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 98
FZ800R12KE3HOSA1
FZ800R12KE3HOSA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 800 A, 1.7 V, 3.55 kW, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 800A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.7V

Precio unitario: 135,800€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
FZ900R12KE4HOSA1
FZ900R12KE4HOSA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 900 A, 1.75 V, 4.3 kW, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 900A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V

Precio unitario: 135,800€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
FZT1049A
FZT1049A

Fabricado por: Diodes Inc.

Transistores Simples de Unión Bipolar (BJT)

Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 30 V, 180 MHz, 2.5 W, 5 A, 450 hFE

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 30V Frecuencia de Transición ft: 180MHz

Precio unitario: 0,284€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 85
FZT1053A
FZT1053A

Fabricado por: Diodes Inc.

Transistores Simples de Unión Bipolar (BJT)

Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 75 V, 140 MHz, 2.5 W, 4.5 A, 450 hFE

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 75V Frecuencia de Transición ft: 140MHz

Precio unitario: 0,286€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 1916
FZT1149A
FZT1149A

Fabricado por: Diodes Inc.

Transistores Simples de Unión Bipolar (BJT)

Transistor de Unión Bipolar Único, PNP, 25 V, 135 MHz, 2.5 W, 4 A, 450 hFE

Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 25V Frecuencia de Transición ft: 135MHz

Precio unitario: 0,307€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 537
FZT1151A
FZT1151A

Fabricado por: Diodes Inc.

Transistores Simples de Unión Bipolar (BJT)

Transistor de Unión Bipolar Único, PNP, 40 V, 145 MHz, 2.5 W, 3 A, 450 hFE

Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 40V Frecuencia de Transición ft: 145MHz

Precio unitario: 0,307€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 315
FZT3019
FZT3019

Fabricado por: On Semiconductor

Transistores Simples de Unión Bipolar (BJT)

Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 80 V, 100 MHz, 1 W, 1 A, 15 hFE

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 80V Frecuencia de Transición ft: 100MHz

Precio unitario: 0,144€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 3809
FZT458TA
FZT458TA

Fabricado por: Diodes Inc.

Transistores Simples de Unión Bipolar (BJT)

Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 400 V, 50 MHz, 2 W, 300 mA, 100 hFE

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 400V Frecuencia de Transición ft: 50MHz

Otros nombres: TDSTD7715, Transistor, FZT458TA, NPN 300 mA 400 V SOT-223, 3 + Tab pines, 50 MHz, Simple, Transistor: NPN; bipolar; 400V; 0,3A; 2W; SOT223.

Precio unitario: 0,217€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 849
FZT558TA
FZT558TA

Fabricado por: Diodes Inc.

Transistores Simples de Unión Bipolar (BJT)

Transistor de Unión Bipolar Único, PNP, 400 V, 50 MHz, 2 W, 200 mA, 100 hFE

Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 400V Frecuencia de Transición ft: 50MHz

Otros nombres: TDSTD7813, Transistor, FZT558TA, PNP 200 mA 400 V SOT-223, 3 + Tab pines, 50 MHz, Simple, Transistor: PNP; bipolar; 400V; 0,2A; 2W; SOT223.

Precio unitario: 0,215€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 2622
FZT560TA
FZT560TA

Fabricado por: Diodes Inc.

Transistores Simples de Unión Bipolar (BJT)

Transistor de Unión Bipolar Único, PNP, -500 V, 60 MHz, 2 W, 50 mA, 100 hFE

Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -500V Frecuencia de Transición ft: 60MHz

Otros nombres: TDSTD7631, Transistor, FZT560TA, PNP 150 mA 500 V SOT-223, 3 + Tab pines, 60 MHz, Simple, Transistor: PNP; bipolar; 500V; 0,15A; 2W; SOT223.

Precio unitario: 0,271€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 4711