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Mostrando 23431 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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NST65010MW6T1G |
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Fabricado por:
Array de Transistores Bipolares, PNP Doble, -65 V, 380 mW, -100 mA, 0.9 hFE, SOT-363 Polaridad de Transistor: PNP Doble Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -65V Disipación de Potencia Pd: 380mW
Otros nombres: Transistor, NST65010MW6T1G, PNP 100 mA 65 V Dual SOT-363 (SC-88), 6 pines, 100 MHz, Aislado.
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Precio unitario: 0,052€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3130 |
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NST65011MW6T1G |
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Fabricado por:
Array de Transistores Bipolares, NPN Doble, 65 V, 380 mW, 100 mA, 0.9 hFE, SOT-363 Polaridad de Transistor: NPN Doble Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 65V Disipación de Potencia Pd: 380mW
Otros nombres: Transistor, NST65011MW6T1G, NPN 100 mA 65 V Dual SOT-363 (SC-88), 6 pines, 100 MHz, Aislado.
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Precio unitario: 0,051€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 19247 |
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NST857BDP6T5G |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, PNP Doble, -45 V, 100 MHz, 420 mW, -100 mA, 220 hFE Polaridad de Transistor: PNP Doble Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -45V Frecuencia de Transición ft: 100MHz |
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Precio unitario: 0,049€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 7566 |
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NSTB60BDW1T1G |
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Fabricado por:
Transistor Dig / Prepolarizado Bipolar, Complemento NPN y PNP, 50 V, 150 mA, 22 kohm, 10 kohm Polaridad de Transistor Digital: Complemento NPN y PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 50V Corriente Continua de Colector Ic: 150mA |
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Precio unitario: 0,031€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 7790 |
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NSV1C200LT1G |
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Fabricado por:
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -100V, SOT-23-3 Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -100V Frecuencia de Transición ft: 120MHz |
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Precio unitario: 0,260€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2587 |
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NSV1C201LT1G |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 100 V, 110 MHz, 710 mW, 2 A, 40 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 100V Frecuencia de Transición ft: 110MHz |
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Precio unitario: 0,143€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 571 |
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NSV1C201MZ4T1G |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 100 V, 100 MHz, 800 mW, 2 A, 40 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 100V Frecuencia de Transición ft: 100MHz
Otros nombres: Transistor digital, NSV1C201MZ4T1G, NPN 100 V dc SOT-223, 3 + Tab pines, Simple.
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Precio unitario: 0,180€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2679 |
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NSV1C300ET4G |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, PNP, -100 V, 100 MHz, 33 W, -3 A, 120 hFE Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -100V Frecuencia de Transición ft: 100MHz
Otros nombres: Transistor, NSV1C300ET4G, PNP 3 A 100 V DPAK (TO-252), 3 pines, 100 MHz, Simple.
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Precio unitario: 0,210€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1622 |
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NSV1SS400T1G |
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Fabricado por:
Diodo de Señal Pequeña, Único, 100 V, 200 mA, 1.2 V, 4 ns, 500 mA Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 100V Corriente Directa If(AV): 200mA
Otros nombres: Diodo de conmutación, NSV1SS400T1G, 100V Conexión de silicio, SOD-523, 2-Pines 1.2V, Diodo de conmutación, NSV1SS400T1G, 100V, SOD-523, 2-Pines 1.2V.
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Precio unitario: 0,043€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 27870 |
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NSV40200LT1G |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, PNP, -40 V, 100 MHz, 540 mW, -2 A, 150 hFE Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -40V Frecuencia de Transición ft: 100MHz
Otros nombres: Transistor, NSV40200LT1G, PNP 2 A 40 V SOT-23, 3 pines, 100 MHz, Simple.
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Precio unitario: 0,136€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 9547 |
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NSV60600MZ4T1G |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, PNP, -60 V, 100 MHz, 2 W, -6 A, 120 hFE Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -60V Frecuencia de Transición ft: 100MHz
Otros nombres: Transistor, NSV60600MZ4T1G, PNP 6 A 60 V SOT-223, 3 + Tab pines, 1 MHz, Simple.
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Precio unitario: 0,168€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 630 |
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NSV60601MZ4T1G |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 60 V, 100 MHz, 2 W, 6 A, 120 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 60V Frecuencia de Transición ft: 100MHz
Otros nombres: Transistor, NSV60601MZ4T1G, NPN 6 A 60 V SOT-223, 3 + Tab pines, 1 MHz, Simple.
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Precio unitario: 0,131€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1538 |
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NSVBAS21AHT1G |
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Fabricado por:
Diodo de Señal Pequeña, Único, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mA Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 250V Corriente Directa If(AV): 200mA |
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Precio unitario: 0,067€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 662 |
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NSVBAS21HT1G |
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Fabricado por:
Diodo de Señal Pequeña, Único, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 20 A Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 250V Corriente Directa If(AV): 200mA
Otros nombres: AEC-Q101 Diodo, NSVBAS21HT1G, Alta tensión, 200mA, 250V, 50ns, SOD-323, 2-Pines, Diodo: conmutador; SMD; 250V; 0,2A; 50ns; Empaquetado: bobina,cinta.
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Precio unitario: 0,032€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3000 |
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NSVBAS21TMR6T1G |
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Fabricado por:
Diodo de Señal Pequeña, Triple Aislado, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mA Configuración de Diodo: Triple Aislado Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 250V Corriente Directa If(AV): 200mA
Otros nombres: AEC-Q101 Diodo, NSVBAS21TMR6T1G, Alta tensión, 200mA, 50ns, SC-74, 6-Pines.
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Precio unitario: 0,045€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |