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Mostrando 23431 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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NSVBAT54HT1G |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Pequeña Señal, Único, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 30V Corriente Directa If(AV): 200mA
Otros nombres: Diodo, NSVBAT54HT1G, Conmutación, 200mA, 30V, 5ns, SOD-323, 2-Pines.
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Precio unitario: 0,074€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2883 |
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NSVBAT54LT1G |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Pequeña Señal, Único, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 30V Corriente Directa If(AV): 200mA |
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Precio unitario: 0,037€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2357 |
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NSVBAT54SWT1G |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Pequeña Señal, Serie doble, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 125 °C Configuración de Diodo: Serie doble Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 30V Corriente Directa If(AV): 200mA |
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Precio unitario: 0,071€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1107 |
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NSVBAT54WT1G |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Pequeña Señal, Único, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 125 °C Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 30V Corriente Directa If(AV): 200mA
Otros nombres: Diodo, NSVBAT54WT1G, 200mA, 30V, 5ns, SOT-323 (SC-70), 3-Pines.
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Precio unitario: 0,066€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 970 |
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NSVBAV23CLT1G |
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Fabricado por:
Diodo de Señal Pequeña, Cátodo Común Doble, 250 V, 400 mA, 1.25 V, 150 ns, 9 A Configuración de Diodo: Cátodo Común Doble Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 250V Corriente Directa If(AV): 400mA |
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Precio unitario: 0,061€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 51358 |
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NSVBC817-16LT1G |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 45 V, 100 MHz, 300 mW, 500 mA, 100 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 45V Frecuencia de Transición ft: 100MHz |
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Precio unitario: 0,036€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3630 |
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NSVBC846BM3T5G |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 65 V, 100 MHz, 265 mW, 100 mA, 200 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 65V Frecuencia de Transición ft: 100MHz |
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Precio unitario: 0,035€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 8694 |
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NSVBC847BLT3G |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 200 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 45V Frecuencia de Transición ft: 100MHz |
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Precio unitario: 0,046€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 17450 |
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NSVF3007SG3T1G |
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Fabricado por:
Transistor de RF - Bipolar, NPN, 12 V, 8 GHz, 350 mW, 30 mA, 60 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 12V Frecuencia de Transición ft: 8GHz
Otros nombres: Transistor, NSVF3007SG3T1G, NPN 30 mA 12 V MCPH, 3 pines, 8 GHz, Simple.
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Precio unitario: 0,161€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2992 |
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NSVF4015SG4T1G |
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Fabricado por:
Transistor de RF - Bipolar, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 100 mA, 150 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 12V Frecuencia de Transición ft: 10GHz
Otros nombres: Transistor, NSVF4015SG4T1G, NPN 100 mA 12 V SC-82FL, 4 pines, 1 GHz, Simple.
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Precio unitario: 0,149€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2995 |
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NSVF4017SG4T1G |
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Fabricado por:
Transistor de RF - Bipolar, Canal N, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 100 mA, 150 hFE Polaridad de Transistor: Canal N Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 12V Frecuencia de Transición ft: 10GHz
Otros nombres: Transistor, NSVF4017SG4T1G, NPN 100 mA 12 V SC-82FL, 4 pines, 1 GHz, Simple.
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Precio unitario: 0,149€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2985 |
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NSVF4020SG4T1G |
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Fabricado por:
Transistor de RF - Bipolar, NPN, 8 V, 16 GHz, 400 mW, 150 mA, 60 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 8V Frecuencia de Transición ft: 16GHz
Otros nombres: Transistor, NSVF4020SG4T1G, NPN 150 mA 8 V MCPH, 4 pines, 16 GHz, Simple.
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Precio unitario: 0,165€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2970 |
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NSVF5488SKT3G |
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Fabricado por:
Transistor de RF - Bipolar, NPN, 10 V, 7 GHz, 100 mW, 70 mA, 90 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 10V Frecuencia de Transición ft: 7GHz
Otros nombres: Transistor, NSVF5488SKT3G, NPN 70 mA 10 V SOT-623, 3 pines, 1 GHz, Simple.
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Precio unitario: 0,134€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 8000 |
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NSVF5490SKT3G |
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Fabricado por:
Transistor de RF - Bipolar, NPN, 10 V, 8 GHz, 100 mW, 30 mA, 90 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 10V Frecuencia de Transición ft: 8GHz
Otros nombres: Transistor, NSVF5490SKT3G, NPN 30 mA 10 V SOT-623, 3 pines, 1.5 GHz, Simple.
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Precio unitario: 0,138€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 8000 |
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NSVF5501SKT3G |
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Fabricado por:
Transistor de RF - Bipolar, NPN, 10 V, 5.5 GHz, 250 mW, 70 mA, 100 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 10V Frecuencia de Transición ft: 5.5GHz
Otros nombres: Transistor, NSVF5501SKT3G, NPN 70 mA 10 V SOT-623, 3 pines, 1 GHz, Simple.
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Precio unitario: 0,113€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 8000 |