Inicio » Semiconductores - Discretos
Mostrando 23431 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
|---|---|---|---|---|---|
|
NSVF6003SB6T1G |
|
Fabricado por:
Transistor de RF - Bipolar, NPN, 12 V, 7 GHz, 800 mW, 150 mA, 100 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 12V Frecuencia de Transición ft: 7GHz
Otros nombres: Transistor, NSVF6003SB6T1G, NPN 150 mA 12 V CPH, 6 pines, 7 GHz, Simple.
|
|
Precio unitario: 0,190€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2995 |
|
|
NSVJ3910SB3T1G |
|
Fabricado por:
Transistor JFET, -25 V, 20 mA, 40 mA, -1.8 V, CPH, JFET Tensión de Ruptura (Vbr): -25V Tensión Máx. de Corte Vgs(off) Puerta-Fuente: -1.8V Encapsulado del Transistor: CPH |
|
Precio unitario: 0,171€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3000 |
|
|
NSVJ5908DSG5T1G |
|
Fabricado por:
Transistor JFET, -15 V, 10 mA, 32 mA, -1.5 V, MCPH, JFET Tensión de Ruptura (Vbr): -15V Tensión Máx. de Corte Vgs(off) Puerta-Fuente: -1.5V Encapsulado del Transistor: MCPH
Otros nombres: AEC-Q101 MOSFET, NSVJ5908DSG5T1G, N-Canal-Canal, 50 mA, 15 V, 5-Pin, MCPH Simple.
|
|
Precio unitario: 0,268€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2970 |
|
|
NSVJ6904DSB6T1G |
|
Fabricado por:
Transistor JFET, -25 V, 20 mA, 40 mA, -1.8 V, CPH, JFET Tensión de Ruptura (Vbr): -25V Tensión Máx. de Corte Vgs(off) Puerta-Fuente: -1.8V Encapsulado del Transistor: CPH
Otros nombres: AEC-Q101 MOSFET, NSVJ6904DSB6T1G, N-Canal-Canal, 50 mA, 25 V, 6-Pin, CPH Simple.
|
|
Precio unitario: 0,282€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2860 |
|
|
NSVMMBT2222AM3T5G |
|
Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 40 V, 300 MHz, 640 mW, 600 mA, 35 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 40V Frecuencia de Transición ft: 300MHz |
- |
Precio unitario: 0,038€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 7640 |
|
|
NSVMMBT5401WT1G |
|
Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, PNP, -150 V, 100 MHz, 400 mW, -500 mA, 50 hFE Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -150V Frecuencia de Transición ft: 100MHz |
|
Precio unitario: 0,029€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 11990 |
|
|
NSVMMBT6429LT1G |
|
Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 45 V, 700 MHz, 225 mW, 200 mA, 500 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 45V Frecuencia de Transición ft: 700MHz |
|
Precio unitario: 0,061€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5165 |
|
|
NSVMMBTH10LT1G |
|
Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 25 V, 650 MHz, 300 mW, 60 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 25V Frecuencia de Transición ft: 650MHz
Otros nombres: Transistor, NSVMMBTH10LT1G, NPN 500 mA 25 V SOT-23, 3 pines, 100 MHz, Simple.
|
|
Precio unitario: 0,080€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1970 |
|
|
NSVMMUN2235LT1G |
|
Fabricado por:
Transistor Dig / Prepolarizado Bipolar, NPN Simple, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, 0.047 Relación Polaridad de Transistor Digital: NPN Simple Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 50V Corriente Continua de Colector Ic: 100mA
Otros nombres: Transistor digital, NSVMMUN2235LT1G, NPN 50 V dc SOT-23, 3 pines, Simple.
|
|
Precio unitario: 0,037€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2510 |
|
|
NSVMUN5111DW1T3G |
|
Fabricado por:
Transistor Dig / Prepolarizado Bipolar, PNP Doble, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 Relación Polaridad de Transistor Digital: PNP Doble Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -50V Corriente Continua de Colector Ic: -100mA |
|
Precio unitario: 0,069€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
NSVMUN5211DW1T3G |
|
Fabricado por:
Transistor Dig / Prepolarizado Bipolar, NPN Doble, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 Relación Polaridad de Transistor Digital: NPN Doble Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 50V Corriente Continua de Colector Ic: 100mA |
|
Precio unitario: 0,067€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 18944 |
|
|
NSVMUN531335DW1T1G |
|
Fabricado por:
Transistor Dig / Prepolarizado Bipolar, Complemento NPN y PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm Polaridad de Transistor Digital: Complemento NPN y PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 50V Corriente Continua de Colector Ic: 100mA
Otros nombres: Transistor digital, NSVMUN531335DW1T1G, NPN + PNP 50 V Dual SOT-363 (SC-88), 6 pines.
|
|
Precio unitario: 0,078€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1890 |
|
|
NSVP249SDSF3T1G |
|
Fabricado por:
Diodo Pin / de RF, Serie doble, 4.5 ohm, 50 V, SC-70, 3 Pines, 0.23 pF Configuración de Diodo: Serie doble Resistencia a Corriente If: 4.5ohm Tensión de Ruptura (Vbr): 50V
Otros nombres: AEC-Q101 Diodo PIN para AGC, 50mA, 50V, SC-70, 3 pines, NSVP249SDSF3T1G.
|
|
Precio unitario: 0,121€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
NSVP264SDSF3T1G |
|
Fabricado por:
Diodo Pin / de RF, Serie doble, 4.5 ohm, SC-70, 3 Pines, 0.23 pF Configuración de Diodo: Serie doble Resistencia a Corriente If: 4.5ohm Encapsulado del Diodo: SC-70
Otros nombres: Diodo, NSVP264SDSF3T1G, 50mA, 50V, MCP, 3-Pines.
|
|
Precio unitario: 0,147€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
NSVR0170HT1G |
|
Fabricado por:
Diodo Schottky de Pequeña Señal, Único, 70 V, 70 mA, 730 mV, 100 mA, 150 °C Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 70V Corriente Directa If(AV): 70mA |
|
Precio unitario: 0,021€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5980 |