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SKU Imagen Nombre de producto Datasheet Entrega y precio
FGW25N120VD
FGW25N120VD

Fabricado por: Fuji Electric

Transistores IGBT Simples

Transistor Único IGBT, 48 A, 1.85 V, 260 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pines

Corriente de Colector DC: 48A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V Disipación de Potencia Pd: 260W

Precio unitario: 6,160€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
FGW30N120HD
FGW30N120HD

Fabricado por: Fuji Electric

Transistores IGBT Simples

Transistor Único IGBT, 53 A, 1.8 V, 260 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pines

Corriente de Colector DC: 53A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.8V Disipación de Potencia Pd: 260W

Otros nombres: IGBT, FGW30N120HD, N-Canal, 30 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines.

Precio unitario: 5,849€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
FGW30N60VD
FGW30N60VD

Fabricado por: Fuji Electric

Transistores IGBT Simples

Transistor Único IGBT, 55 A, 1.6 V, 230 W, 600 V, TO-247, 3 Pines

Corriente de Colector DC: 55A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.6V Disipación de Potencia Pd: 230W

Otros nombres: IGBT, FGW30N60VD, N-Canal, 30 A, 600 V, TO-247, 3-Pines.

Precio unitario: 6,004€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
FGW40N120VD
FGW40N120VD

Fabricado por: Fuji Electric

Transistores IGBT Simples

Transistor Único IGBT, 63 A, 1.85 V, 340 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pines

Corriente de Colector DC: 63A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V Disipación de Potencia Pd: 340W

Precio unitario: 7,488€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
FGW50N60HD
FGW50N60HD

Fabricado por: Fuji Electric

Transistores IGBT Simples

Transistor Único IGBT, 95 A, 1.5 V, 360 W, 600 V, TO-247, 3 Pines

Corriente de Colector DC: 95A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.5V Disipación de Potencia Pd: 360W

Otros nombres: IGBT, FGW50N60HD, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-247, 3-Pines.

Precio unitario: 5,165€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
FGW50N60VD
FGW50N60VD

Fabricado por: Fuji Electric

Transistores IGBT Simples

Transistor Único IGBT, 85 A, 1.6 V, 360 W, 600 V, TO-247, 3 Pines

Corriente de Colector DC: 85A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.6V Disipación de Potencia Pd: 360W

Otros nombres: IGBT, FGW50N60VD, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-247, 3-Pines.

Precio unitario: 6,577€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
FGW75N60HD
FGW75N60HD

Fabricado por: Fuji Electric

Transistores IGBT Simples

Transistor Único IGBT, 100 A, 1.5 V, 500 W, 600 V, TO-247, 3 Pines

Corriente de Colector DC: 100A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.5V Disipación de Potencia Pd: 500W

Otros nombres: IGBT, FGW75N60HD, N-Canal, 75 A, 600 V, TO-247, 3-Pines.

Precio unitario: 10,854€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
FGY160T65SPD-F085
FGY160T65SPD-F085

Fabricado por: On Semiconductor

Transistores IGBT Simples

Transistor Único IGBT, Canal N, 240 A, 1.6 V, 882 W, 650 V, TO-247, 3 Pines

Corriente de Colector DC: 240A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.6V Disipación de Potencia Pd: 882W

Precio unitario: 5,888€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 346
FGY60T120SQDN
FGY60T120SQDN

Fabricado por: On Semiconductor

Transistores IGBT Simples

Transistor Único IGBT, 120 A, 1.7 V, 517 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pines

Corriente de Colector DC: 120A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.7V Disipación de Potencia Pd: 517W

Otros nombres: IGBT, FGY60T120SQDN, N-Canal, 120 A, 1200 V, TO-247, 3-Pines 1 Simple.

Precio unitario: 4,297€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
FGY75N60SMD
FGY75N60SMD

Fabricado por: On Semiconductor

Transistores IGBT Simples

Transistor Único IGBT, 150 A, 1.9 V, 750 W, 600 V, Power 247, 3 Pines

Corriente de Colector DC: 150A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.9V Disipación de Potencia Pd: 750W

Otros nombres: IGBT, FGY75N60SMD, N-Canal, 150 A, 600 V, TO-247, 3-Pines Simple.

Precio unitario: 2,716€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 2587
FGY75T120SQDN
FGY75T120SQDN

Fabricado por: On Semiconductor

Transistores IGBT Simples

Transistor Único IGBT, 150 A, 1.7 V, 790 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pines

Corriente de Colector DC: 150A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.7V Disipación de Potencia Pd: 790W

Otros nombres: MOSFET, FGY75T120SQDN, N-Canal-Canal, Reducción, 3-Pin, TO-247 Simple.

Precio unitario: 4,501€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 390
GT30J324
GT30J324

Fabricado por: Toshiba

Transistores IGBT Simples

Transistor Único IGBT, 30 A, 2.45 V, 170 W, 600 V, TO-3P, 3 Pines

Corriente de Colector DC: 30A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.45V Disipación de Potencia Pd: 170W

Precio unitario: 4,976€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
GT50J325
GT50J325

Fabricado por: Toshiba

Transistores IGBT Simples

Transistor Único IGBT, 50 A, 2.45 V, 240 W, 600 V, TO-3P, 3 Pines

Corriente de Colector DC: 50A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.45V Disipación de Potencia Pd: 240W

Precio unitario: 7,585€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
HGT1S10N120BNST
HGT1S10N120BNST

Fabricado por: On Semiconductor

Transistores IGBT Simples

Transistor Único IGBT, 35 A, 2.45 V, 298 W, 1.2 kV, TO-263AB, 3 Pines

Corriente de Colector DC: 35A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.45V Disipación de Potencia Pd: 298W

Otros nombres: IGBT, HGT1S10N120BNST, N-Canal, 80 A, 1.200 V, D2PAK (TO-263), 3-Pines, 1MHZ Simple, Transistor: IGBT; 1,2kV; 17A; 298W; D2PAK.

Precio unitario: 1,174€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 710
HGTD1N120BNS9A
HGTD1N120BNS9A

Fabricado por: On Semiconductor

Transistores IGBT Simples

Transistor Único IGBT, 5.3 A, 2.5 V, 60 W, 1.2 kV, TO-252AA, 3 Pines

Corriente de Colector DC: 5.3A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.5V Disipación de Potencia Pd: 60W

Otros nombres: Transistor: IGBT; 1200V; 2,7A; 60W; TO252AA.

Precio unitario: 0,558€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 26037