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Mostrando 757 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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QS8M51TR |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N y P, 2 A, 100 V, 0.24 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 2A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V |
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Precio unitario: 0,377€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 905 |
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SH8K11GZETB |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 3.5 A, 30 V, 0.07 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 3.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,194€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SH8K26GZ0TB |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 6 A, 40 V, 0.027 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V
Otros nombres: MOSFET, SH8K26GZ0TB Dual, N-Canal, 6 A, 40 V, 8-Pin, SOP.
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Precio unitario: 0,253€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SH8K32GZETB |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 4.5 A, 60 V, 0.046 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 4.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V |
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Precio unitario: 0,474€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 20 |
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SH8K41GZETB |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 3.4 A, 80 V, 0.09 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 3.4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 80V |
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Precio unitario: 0,192€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 10 |
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SH8K41TB.. |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 3.4 A, 80 V, 0.09 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 3.4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 80V |
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Precio unitario: 0,354€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SH8KA2GZETB |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 8 A, 30 V, 0.023 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, SH8KA2GZETB Dual, N-Canal, 8 A, 30 V, 8-Pin, SOP.
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Precio unitario: 0,398€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SH8KA4TB |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 9 A, 30 V, 0.0165 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 9A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,273€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SH8M11GZETB |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N y P, 3.5 A, 30 V, 0.07 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 3.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,216€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SH8M24GZETB |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N y P, 6 A, 45 V, 0.033 ohm, 10 V, 10 V Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 45V |
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Precio unitario: 0,388€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 67 |
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SH8M41GZETB |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N y P, 3.4 A, 80 V, 0.09 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 3.4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 80V
Otros nombres: MOSFET, SH8M41GZETB Dual N/P-Canal, 8-Pin, SOP.
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Precio unitario: 0,848€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 180 |
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SI1016CX-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N y P, 600 mA, 20 V, 0.33 ohm, 4.5 V, 400 mV Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 600mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V
Otros nombres: MOSFET, SI1016CX-T1-GE3 Dual N/P-Canal, 600 mA, 20 V, 6-Pin, SOT-563.
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Precio unitario: 0,113€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3 |
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SI1026X-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N, 305 mA, 60 V, 1.4 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 305mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: MOSFET, SI1026X-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 300 mA, 60 V, 6-Pin, SOT-523 (SC-89) Aislado Si.
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Precio unitario: 0,191€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI1028X-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 480 mA, 30 V, 0.54 ohm, 10 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 480mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, SI1028X-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 480 mA, 30 V, 6-Pin, SOT-523 (SC-89) Aislado Si.
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Precio unitario: 0,072€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI1029X-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N y P, 305 mA, 60 V, 1.4 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 305mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: MOSFET, SI1029X-T1-GE3, Dual, N/P-Canal, 190 mA, 300 mA, 60 V, 6-Pin, SOT-523 (SC-89) Aislado Si.
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Precio unitario: 0,151€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 726 |