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Mostrando 757 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SI1034CX-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 610 mA, 20 V, 0.33 ohm, 4.5 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 610mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V
Otros nombres: Dual N-Ch MOSFET SC-89-6 20V 396 mohms @.
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Precio unitario: 0,099€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI1040X-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N y P, 430 mA, 8 V, 0.5 ohm, 4.5 V Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 430mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 8V
Otros nombres: IC: power switch; high-side; 0,43A; Canales: 1; P-Channel; SMD, MOSFET Doble, Canal N y P, 430 mA, 8 V, 0.5 ohm, 4.5 V, 4.5 V.
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Precio unitario: 0,274€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4917 |
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SI1539CDL-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N y P, 700 mA, 30 V, 0.323 ohm, 10 V, 1.2 V Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 700mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,108€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3345 |
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SI1553CDL-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N y P, 700 mA, 20 V, 0.325 ohm, 4.5 V, 1.5 V Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 700mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V
Otros nombres: MOSFET, SI1553CDL-T1-GE3, Dual, N/P-Canal, 400 mA, 700 mA, 20 V, 6-Pin, SOT-363 (SC-88) Aislado Si.
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Precio unitario: 0,115€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI1869DH-T1-E3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N y P, 1.2 A, 20 V, 0.132 ohm, 4.5 V Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 1.2A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V
Otros nombres: IC: power switch; high-side; 1,2A; Canales: 1; P-Channel; SMD; SC70.
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Precio unitario: 0,186€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI1902DL-T1-E3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 700 mA, 20 V, 0.32 ohm, 4.5 V, 1.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 700mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V |
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Precio unitario: 0,112€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI1912EDH-T1-E3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 1.13 A, 20 V, 0.22 ohm, 4.5 V, 450 mV Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 1.13A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V |
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Precio unitario: 0,168€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI1922EDH-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 1.3 A, 20 V, 0.165 ohm, 4.5 V, 400 mV Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 1.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V
Otros nombres: MOSFET, SI1922EDH-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 1,3 A, 20 V, 6-Pin, SOT-363 (SC-88) Aislado Si.
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Precio unitario: 0,124€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2140 |
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SI1926DL-T1-E3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 370 mA, 60 V, 1.4 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 370mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V |
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Precio unitario: 0,137€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2820 |
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SI1967DH-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal P Doble, -1.3 A, -20 V, 0.64 ohm, -1.8 V, -400 mV Polaridad de Transistor: Canal P Doble Corriente de Drenaje Continua Id: -1.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V
Otros nombres: MOSFET, SI1967DH-T1-GE3, Dual, P-Canal, 1,1 A, 20 V, 6-Pin, SOT-363 (SC-88) Aislado Si.
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Precio unitario: 0,130€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2908 |
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SI3552DV-T1-E3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N y P, 2.5 A, 30 V, 0.085 ohm, 10 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 2.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,244€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 9000 |
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SI3585CDV-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N y P, 3.9 A, 20 V, 0.048 ohm, 4.5 V, 1.5 V Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 3.9A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V
Otros nombres: N/P-Ch MOSFET TSOP-6 20V 58/195mohm @ 4..
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Precio unitario: 0,165€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 11080 |
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SI3588DV-T1-E3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N y P, 2.5 A, 20 V, 0.064 ohm, 4.5 V, 450 mV Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 2.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V |
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Precio unitario: 0,407€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI3590DV-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N y P, 2.5 A, 30 V, 0.062 ohm, 4.5 V, 1.5 V Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 2.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,284€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 10298 |
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SI3900DV-T1-E3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 2 A, 20 V, 0.125 ohm, 4.5 V, 600 mV Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 2A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V
Otros nombres: TMOSS5804.
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Precio unitario: 0,271€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |