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Mostrando 757 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SI3932DV-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 3.7 A, 30 V, 0.047 ohm, 10 V, 2.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 3.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,226€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4993 |
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SI4214DDY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 8.5 A, 30 V, 0.016 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 8.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, SI4214DDY-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 7,5 A, 30 V, 8-Pin, SOIC Aislado Si, MOSFET, SI4214DDY-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 7.5 A, 30 V, 8-Pin, SOIC Aislado Si.
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Precio unitario: 0,294€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 727 |
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SI4286DY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 7 A, 40 V, 0.027 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V
Otros nombres: MOSFET, SI4286DY-T1-GE3 Dual, N-Canal, 7 A, 40 V, 8-Pin, SOIC.
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Precio unitario: 0,328€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 9283 |
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SI4288DY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 9.2 A, 40 V, 0.0165 ohm, 10 V, 1.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 9.2A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V |
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Precio unitario: 0,494€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2430 |
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SI4501ADY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 30V, SOIC Polaridad de Transistor: N and P Channel Corriente de Drenaje Continua Id: 6.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,725€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI4511DY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N y P, 7.2 A, 20 V, 0.0115 ohm, 10 V, 600 mV Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 7.2A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V |
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Precio unitario: 0,569€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI4532ADY-T1-E3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N y P, 4.9 A, 30 V, 0.044 ohm, 10 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 4.9A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: DUAL N/P CHANNEL MOSFET, FULL REEL.
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Precio unitario: 0,601€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI4532CDY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N y P, 6 A, 30 V, 0.038 ohm, 10 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, SI4532CDY-T1-GE3, Dual, N/P-Canal, 4,3 A, 6 A, 30 V, 8-Pin, SOIC Aislado Si.
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Precio unitario: 0,304€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 8161 |
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SI4532DY |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N y P, 3.9 A, 30 V, 0.053 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 3.9A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, SI4532DY, Dual, N/P-Canal, 3,5 A, 3,9 A, 30 V, 8-Pin, SOIC Aislado Si.
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Precio unitario: 0,316€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 12985 |
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SI4542DY |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N y P, 6 A, 30 V, 0.019 ohm, 10 V, 1.5 V Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, SI4542DY N/P-Canal, 6 A, 30 V, 8-Pin, SOIC, MOSFET, SI4542DY, N/P-Canal, 6 A, 30 V, 8-Pin, SOIC PowerTrench Simple Si.
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Precio unitario: 0,536€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2100 |
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SI4563DY-T1-E3 |
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Fabricado por:
DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 40V, SOIC Polaridad de Transistor: N and P Channel Corriente de Drenaje Continua Id: 8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V |
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Precio unitario: 0,854€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI4564DY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N y P, 10 A, 40 V, 0.0145 ohm, 10 V, 800 mV Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 10A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V
Otros nombres: MOSFET, SI4564DY-T1-GE3, Dual, N/P-Canal, 7,2 A, 8 A, 40 V, 8-Pin, SOIC Aislado Si.
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Precio unitario: 0,499€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1134 |
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SI4599DY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N y P, 6.8 A, 40 V, 0.0295 ohm, 10 V, 1.4 V Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 6.8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V
Otros nombres: MOSFET, SI4599DY-T1-GE3, Dual, N/P-Canal, 4,7 A, 6,8 A, 40 V, 8-Pin, SOIC Aislado Si.
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Precio unitario: 0,338€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 18100 |
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SI4804CDY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 8 A, 30 V, 0.018 ohm, 10 V, 2.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,264€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5682 |
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SI4816BDY-T1-E3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, LITTLE FOOT, Canal N Doble, 5.8 A, 30 V, 0.0155 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 5.8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,590€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3403 |