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Mostrando 757 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SI4816BDY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 5.8 A, 30 V, 0.0155 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 5.8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,688€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2260 |
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SI4830CDY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 7.1 A, 30 V, 0.156 ohm, 10 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 7.1A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,542€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI4900DY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 5.3 A, 60 V, 0.046 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 5.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: MOSFET, SI4900DY-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 4,3 A, 60 V, 8-Pin, SOIC Aislado Si, MOSFET, SI4900DY-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 4.3 A, 60 V, 8-Pin, SOIC Aislado Si.
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Precio unitario: 0,431€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2821 |
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SI4908DY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 5 A, 40 V, 0.048 ohm, 10 V, 2.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V |
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Precio unitario: 0,324€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI4909DY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal P Doble, -8 A, -40 V, 0.021 ohm, -10 V, -1.2 V Polaridad de Transistor: Canal P Doble Corriente de Drenaje Continua Id: -8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -40V
Otros nombres: MOSFET, SI4909DY-T1-GE3, Dual, P-Canal, 6,5 A, 40 V, 8-Pin, SOIC Aislado Si.
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Precio unitario: 0,357€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI4922BDY-T1-E3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 8 A, 30 V, 0.0135 ohm, 12 V, 1.8 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,824€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI4925BDY-T1-E3 |
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Fabricado por:
MOSFET, DUAL P CHANNEL, -30V, 0.01OHM, -5.3A, SOIC-8, FULL REEL Polaridad de Transistor: Dual P Channel Corriente de Drenaje Continua Id: -5.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V
Otros nombres: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -5,7A; 2W; SO8.
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Precio unitario: 1,164€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2500 |
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SI4925DDY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal P Doble, -8 A, -30 V, 0.024 ohm, -10 V, -3 V Polaridad de Transistor: Canal P Doble Corriente de Drenaje Continua Id: -8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V
Otros nombres: MOSFET, SI4925DDY-T1-GE3, Dual, P-Canal, 8 A, 30 V, 8-Pin, SOIC Aislado Si.
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Precio unitario: 0,443€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 11425 |
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SI4936CDY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 5.8 A, 30 V, 0.033 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 5.8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, SI4936CDY-T1-GE3 Dual, N-Canal, 5 A, 30 V, 8-Pin, SOIC.
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Precio unitario: 0,242€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2618 |
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SI4943CDY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal P Doble, -8 A, -20 V, 0.0275 ohm, -4.5 V, -1 V Polaridad de Transistor: Canal P Doble Corriente de Drenaje Continua Id: -8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V
Otros nombres: TMOSP9531.
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Precio unitario: 0,676€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1745 |
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SI4946BEY-T1-E3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 6.5 A, 60 V, 0.033 ohm, 20 V, 2.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 6.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: Dual N-Ch MOSFET SO-8 60V 41mohm @ 10V 1.
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Precio unitario: 0,597€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 49468 |
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SI4946BEY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 6.5 A, 60 V, 0.033 ohm, 10 V, 2.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 6.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: MOSFET, SI4946BEY-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 6,5 A, 60 V, 8-Pin, SOIC Aislado Si.
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Precio unitario: 0,638€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2088 |
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SI4946CDY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 6.1 A, 60 V, 0.033 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 6.1A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V |
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Precio unitario: 0,296€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 12078 |
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SI4948BEY-T1-E3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal P Doble, -2.4 A, -60 V, 0.1 ohm, -10 V, -3 V Polaridad de Transistor: Canal P Doble Corriente de Drenaje Continua Id: -2.4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -60V
Otros nombres: Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET.
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Precio unitario: 0,559€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 704 |
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SI4948BEY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal P Doble, -2.4 A, -60 V, 0.1 ohm, -10 V, -3 V Polaridad de Transistor: Canal P Doble Corriente de Drenaje Continua Id: -2.4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -60V
Otros nombres: MOSFET, SI4948BEY-T1-GE3, Dual, P-Canal, 3,1 A, 60 V, 8-Pin, SOIC Aislado Si.
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Precio unitario: 0,533€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3375 |