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Mostrando 757 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SI7997DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal P Doble, -60 A, -30 V, 0.0045 ohm, -10 V, -2.2 V Polaridad de Transistor: Canal P Doble Corriente de Drenaje Continua Id: -60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V
Otros nombres: Dual P-Ch PowerPAK SO-8 30V 55mohm @ 10V.
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Precio unitario: 0,942€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6814 |
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SI9926CDY-T1-E3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 8 A, 20 V, 0.018 ohm, 4.5 V, 1.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V |
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Precio unitario: 0,474€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 13730 |
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SI9926CDY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 8 A, 20 V, 0.015 ohm, 4.5 V, 1.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V |
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Precio unitario: 0,427€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2620 |
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SI9933CDY-T1-E3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal P Doble, -4 A, -20 V, 0.048 ohm, -4.5 V, -1.4 V Polaridad de Transistor: Canal P Doble Corriente de Drenaje Continua Id: -4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V |
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Precio unitario: 0,246€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4609 |
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SI9933CDY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal P Doble, -4 A, -20 V, 0.048 ohm, -4.5 V, -1.4 V Polaridad de Transistor: Canal P Doble Corriente de Drenaje Continua Id: -4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V
Otros nombres: MOSFET, SI9933CDY-T1-GE3, Dual, P-Canal, 4 A, 20 V, 8-Pin, SOIC Aislado Si.
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Precio unitario: 0,260€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 7719 |
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SI9945BDY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 5.3 A, 60 V, 0.046 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 5.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: MOSFET, SI9945BDY-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 5,3 A, 60 V, 8-Pin, SOIC Aislado Si.
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Precio unitario: 0,309€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 18590 |
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SIA511DJ-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N y P, 4.5 A, 12 V, 0.033 ohm, 4.5 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 4.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 12V |
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Precio unitario: 0,381€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 32 |
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SIA517DJ-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N y P, 4.5 A, 12 V, 0.024 ohm, 4.5 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 4.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 12V
Otros nombres: MOSFET, SIA517DJ-T1-GE3, Dual, N/P-Canal, 4,3 A, 4,5 A, 12 V, 6-Pin, SOT-363 (SC-70) Aislado Si.
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Precio unitario: 0,233€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2835 |
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SIA519EDJ-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N y P, 4.5 A, 20 V, 0.053 ohm, 4.5 V, 600 mV Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 4.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V |
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Precio unitario: 0,178€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1245 |
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SIA537EDJ-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET, N&P CHANNEL, 12V, 4.5A, POWERPAK Polaridad de Transistor: N and P Channel Corriente de Drenaje Continua Id: 4.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 12V
Otros nombres: N/P-Ch PPAK SC-70 12/20 V 28/54mohms @ 4.
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Precio unitario: 0,309€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIA906EDJ-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 4.5 A, 20 V, 0.037 ohm, 4.5 V, 1.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 4.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V
Otros nombres: MOSFET, SIA906EDJ-T1-GE3, N-Canal-Canal, 4,5 A, 20 V, 6-Pin, SOT-363 (SC-70) Simple Si.
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Precio unitario: 0,167€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIA910EDJ-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 4.5 A, 12 V, 0.023 ohm, 4.5 V, 400 mV Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 4.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 12V
Otros nombres: TMOSS6312.
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Precio unitario: 0,190€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1269 |
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SIA914ADJ-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 4.5 A, 20 V, 0.035 ohm, 4.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 4.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V |
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Precio unitario: 0,112€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 14130 |
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SIA928DJ-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 4.5 A, 30 V, 0.02 ohm, 10 V, 2.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 4.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,133€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIA975DJ-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal P Doble, -4.5 A, -12 V, 0.07 ohm, -1.8 V, -400 mV Polaridad de Transistor: Canal P Doble Corriente de Drenaje Continua Id: -4.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -12V |
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Precio unitario: 0,424€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 115 |