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Mostrando 757 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SIB912DK-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 1.5 A, 20 V, 0.18 ohm, 4.5 V, 400 mV Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 1.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V
Otros nombres: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1,5A; Idm: 5A; 2W.
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Precio unitario: 0,168€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIS903DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal P Doble, -6 A, -20 V, 0.0167 ohm, -4.5 V, -1 V Polaridad de Transistor: Canal P Doble Corriente de Drenaje Continua Id: -6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V |
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Precio unitario: 1,426€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5995 |
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SIS932EDN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 6 A, 30 V, 0.018 ohm, 4.5 V, 1.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,175€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6000 |
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SISF00DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 60 A, 30 V, 0.0042 ohm, 10 V, 2.1 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,485€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SISF02DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 60 A, 25 V, 0.0027 ohm, 10 V, 2.3 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 25V
Otros nombres: MOSFET, SISF02DN-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 60 A, 25 V, 8-Pin, PowerPak 1212-SCD Drenaje común.
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Precio unitario: 0,579€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
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SISF20DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 52 A, 60 V, 0.01 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 52A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V |
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Precio unitario: 0,589€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
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SIZ200DT-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N, 61 A, 30 V, 0.0045 ohm, 10 V, 2.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 61A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,328€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
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SIZ322DT-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 30 A, 25 V, 0.00529 ohm, 10 V, 2.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 30A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 25V |
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Precio unitario: 0,262€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5 |
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SIZ328DT-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 30 A, 25 V, 0.008 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 30A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 25V |
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Precio unitario: 0,276€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6000 |
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SIZ340DT-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 40 A, 30 V, 0.0042 ohm, 10 V, 2.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 40A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, SIZ340DT-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 30 A, 40 A, 30 V, 8-Pin, PowerPAIR PowerPAIR Serie Si.
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Precio unitario: 0,296€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIZ348DT-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 30 A, 30 V, 0.00593 ohm, 10 V, 2.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 30A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,385€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIZ350DT-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 30 A, 30 V, 0.00563 ohm, 10 V, 2.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 30A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,765€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5674 |
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SIZ730DT-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 16 A, 30 V, 0.0075 ohm, 10 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 16A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,278€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIZ790DT-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble + Schottky, 16 A, 30 V, 0.0075 ohm, 10 V, 1.1 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble + Schottky Corriente de Drenaje Continua Id: 16A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,451€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIZ910DT-T1-GE3 |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 0,818€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |