Inicio » Semiconductores - Discretos » Transistores » Transistores MOSFET » Transistores MOSFET Dobles

Mostrando 757 referencias.

SKU Imagen Nombre de producto Datasheet Entrega y precio
SIZ916DT-T1-GE3
SIZ916DT-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Dobles

MOSFET Doble, Canal N Doble, 40 A, 30 V, 0.0053 ohm, 10 V, 1.2 V

Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 40A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V

Precio unitario: 0,689€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 2915
SIZ918DT-T1-GE3
SIZ918DT-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Dobles

MOSFET Doble, Canal N Doble, 28 A, 30 V, 0.01 ohm, 10 V, 1.2 V

Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 28A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V

Precio unitario: 0,419€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 2955
SIZ920DT-T1-GE3
SIZ920DT-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Dobles

MOSFET Doble, Canal N Doble, 40 A, 30 V, 0.0059 ohm, 10 V, 1.2 V

Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 40A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V

Precio unitario: 0,622€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SIZ926DT-T1-GE3
SIZ926DT-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Dobles

MOSFET Doble, Canal N Doble, 60 A, 25 V, 0.0038 ohm, 10 V, 2.2 V

Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 25V

Precio unitario: 0,521€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 6
SIZ980DT-T1-GE3
SIZ980DT-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Dobles

MOSFET Doble, Canal N Doble, 60 A, 30 V, 0.0011 ohm, 10 V, 2.2 V

Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V

Precio unitario: 0,537€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 3000
SIZ998DT-T1-GE3
SIZ998DT-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Dobles

MOSFET Doble, Canal N Doble, 60 A, 30 V, 0.0022 ohm, 10 V, 2.2 V

Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V

Precio unitario: 0,522€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 17388
SIZF906ADT-T1-GE3
SIZF906ADT-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Dobles

MOSFET Doble, Canal N Doble + Schottky, 60 A, 30 V, 0.0009 ohm, 10 V, 2.2 V

Polaridad de Transistor: Canal N Doble + Schottky Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V

Precio unitario: 0,525€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 50
SIZF914DT-T1-GE3
SIZF914DT-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Dobles

MOSFET Doble, Canal N Doble + Schottky, 60 A, 25 V, 0.0006 ohm, 10 V, 2.2 V

Polaridad de Transistor: Canal N Doble + Schottky Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 25V

Precio unitario: 0,584€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SIZF916DT-T1-GE3
SIZF916DT-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Dobles

MOSFET Doble, Canal N Doble + Schottky, 60 A, 30 V, 0.0009 ohm, 10 V, 2.2 V

Polaridad de Transistor: Canal N Doble + Schottky Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V

Otros nombres: MOSFET, SIZF916DT-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 40 A (canal 1), 60 A (canal 2), 30 V, 8-Pin, PowerPAIR de 6 x 5.

Precio unitario: 0,597€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 6050
SIZF918DT-T1-GE3
SIZF918DT-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Dobles

MOSFET Doble, Canal N Doble + Schottky, 60 A, 30 V, 0.0012 ohm, 10 V, 2.2 V

Polaridad de Transistor: Canal N Doble + Schottky Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V

Precio unitario: 0,534€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 6050
SIZF920DT-T1-GE3
SIZF920DT-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Dobles

MOSFET Doble, Canal N Doble, 197 A, 30 V, 0.0007 ohm, 10 V, 2.2 V

Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 197A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V

Precio unitario: 0,814€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 100
SMMA511DJ-T1-GE3
SMMA511DJ-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Dobles

MOSFET Doble, Canal N y P, 4.5 A, 12 V, 0.033 ohm, 4.5 V, 400 mV

Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 4.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 12V

Precio unitario: 1,552€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 162
SP8J5FRATB
SP8J5FRATB

Fabricado por: Rohm

Transistores MOSFET Dobles

MOSFET Doble, Canal P Doble, -7 A, -30 V, 0.02 ohm, -10 V, -2.5 V

Polaridad de Transistor: Canal P Doble Corriente de Drenaje Continua Id: -7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V

Precio unitario: 0,455€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 2500
SP8K22FRATB
SP8K22FRATB

Fabricado por: Rohm

Transistores MOSFET Dobles

MOSFET Doble, Canal N Doble, 4.5 A, 45 V, 0.033 ohm, 10 V, 2.5 V

Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 4.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 45V

Precio unitario: 0,618€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 2500
SP8K24FRATB
SP8K24FRATB

Fabricado por: Rohm

Transistores MOSFET Dobles

MOSFET Doble, Canal N Doble, 6 A, 45 V, 0.018 ohm, 10 V, 2.5 V

Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 45V

Precio unitario: 0,373€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 77