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Mostrando 757 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SQ4946AEY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 7 A, 60 V, 0.033 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; Idm: 28A; 1,3W; SO8.
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Precio unitario: 0,492€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SQ4946AEY-T1_GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 7 A, 60 V, 0.033 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: MOSFET, SQ4946AEY-T1_GE3, Dual, N-Canal-Canal, 7 A, 60 V, 8-Pin, SOIC Aislado Si.
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Precio unitario: 0,494€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1141 |
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SQ9945BEY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N, 5.4 A, 60 V, 0.045 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 5.4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V |
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Precio unitario: 0,340€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SQJ200EP-T1_GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 60 A, 20 V, 0.0031 ohm, 10 V, 1.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V |
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Precio unitario: 0,341€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2956 |
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SQJ202EP-T1_GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 60 A, 12 V, 0.0025 ohm, 10 V, 1.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 12V |
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Precio unitario: 0,426€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SQJ204EP-T1_GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 60 A, 12 V, 0.00246 ohm, 10 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 12V |
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Precio unitario: 0,411€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
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SQJ208EP-T1_GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 60 A, 40 V, 0.0032 ohm, 10 V, 1.9 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V
Otros nombres: AEC-Q101 MOSFET, SQJ208EP-T1_GE3, Dual, N-Canal-Canal, 20 (Canal 1) A, 60 (Canal 2) A, 40 V (Canal 1), 40 V (Canal 2),.
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Precio unitario: 0,452€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
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SQJ244EP-T1_GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 60 A, 40 V, 0.00365 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V |
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Precio unitario: 0,411€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 40 |
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SQJ260EP-T1_GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, TrenchFET®, Canal N Doble, 54 A, 60 V, 0.0155 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 54A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V |
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Precio unitario: 0,533€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2495 |
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SQJ262EP-T1_GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 40 A, 60 V, 0.0126 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 40A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V |
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Precio unitario: 0,376€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2950 |
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SQJ504EP-T1_GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N y P, 30 A, 40 V, 0.0061 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 30A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V
Otros nombres: AEC-Q101 MOSFET, SQJ504EP-T1_GE3, Dual, N-Canal-Canal, 30 (canal N) A, AEC-Q101 MOSFET, SQJ504EP-T1_GE3, Dual, N-Canal-Canal, 30 (canal N) A; 30 (canal P) A, 40 V, 8-Pin, SO-8 TrenchFET Si.
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Precio unitario: 0,427€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2823 |
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SQJ560EP-T1_GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N y P, 30 A, 60 V, 0.0099 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 30A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: STDMOS1377.
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Precio unitario: 0,371€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2865 |
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SQJ912BEP-T1_GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 30 A, 40 V, 0.009 ohm, 10 V, 1.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 30A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V |
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Precio unitario: 0,461€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 15 |
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SQJ914EP-T1_GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 30 A, 30 V, 0.0098 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 30A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,377€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SQJ940EP-T1_GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 15 A, 40 V, 0.0133 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 15A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V
Otros nombres: TMOS2180.
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Precio unitario: 0,428€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4094 |