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Mostrando 757 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SQJ960EP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 8 A, 60 V, 0.03 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V |
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Precio unitario: 0,518€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SQJ968EP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 18 A, 60 V, 0.028 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 18A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V |
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Precio unitario: 0,405€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 363 |
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SQJ980AEP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 17 A, 75 V, 0.041 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 17A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 75V |
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Precio unitario: 0,330€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SQJ992EP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 15 A, 60 V, 0.047 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 15A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V |
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Precio unitario: 0,446€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 95 |
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SQJB42EP-T1_GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 30 A, 40 V, 0.0079 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 30A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V
Otros nombres: AEC-Q101 MOSFET, SQJB42EP-T1_GE3, Dual, N-Canal-Canal, 30 A, 40 V, 8-Pin, SO TrenchFET.
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Precio unitario: 0,410€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6250 |
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SQJB60EP-T1_GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 30 A, 60 V, 0.01 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 30A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V |
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Precio unitario: 0,365€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 516 |
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SQJB68EP-T1_GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 11 A, 100 V, 0.0765 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 11A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V |
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Precio unitario: 0,321€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3002 |
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SQJB70EP-T1_GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 11.3 A, 100 V, 0.078 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 11.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V |
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Precio unitario: 0,305€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2192 |
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SQJB80EP-T1_GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 30 A, 80 V, 0.0155 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 30A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 80V |
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Precio unitario: 0,358€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5918 |
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SQJQ904E-T1_GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 100 A, 40 V, 0.0034 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 100A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V |
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Precio unitario: 1,038€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1719 |
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SQJQ906EL-T1_GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 160 A, 40 V, 0.0036 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 160A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V |
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Precio unitario: 1,077€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1985 |
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SQS944ENW-T1_GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 6 A, 40 V, 0.019 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V
Otros nombres: AEC-Q101 MOSFET, SQS944ENW-T1_GE3, Dual, N-Canal-Canal, 6 A, 40 V, 8-Pin, 1212 TrenchFET Si.
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Precio unitario: 0,313€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SQS966ENW-T1_GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 6 A, 60 V, 0.028 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: AEC-Q101 MOSFET, SQS966ENW-T1_GE3, Dual, N-Canal-Canal, 6 A, 60 V, 8-Pin, 1212 TrenchFET Si.
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Precio unitario: 0,319€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SQUN702E-T1_GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, N and P Complement, N Channel, 30 A, 200 V, 0.0077 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: N and P Complement, N Channel Corriente de Drenaje Continua Id: 30A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 200V
Otros nombres: AEC-Q101 MOSFET, SQUN702E-T1_GE3, 3, N/P-Canal, 20 (Canal 3) A, 30 (Canal 1) A, 30 (Canal 2) A, 200 (Canal 3) V, 40.
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Precio unitario: 1,717€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
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STL15DN4F5 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 15 A, 40 V, 0.008 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 15A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V |
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Precio unitario: 1,009€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 817 |