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Mostrando 7170 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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IPAW60R280CEXKSA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 19.3 A, 600 V, 0.25 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 19.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 0,559€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 167 |
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IPAW60R280P7SXKSA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 12 A, 600 V, 0.214 ohm, 10 V, 3.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 12A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Otros nombres: MOSFET, IPAW60R280P7SXKSA1, N-Canal-Canal, 12 A, 600 V, 3-Pin, TO-220 FullPAK 600V CoolMOS P7.
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Precio unitario: 0,501€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 440 |
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IPAW60R360P7SXKSA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 9 A, 600 V, 0.3 ohm, 10 V, 3.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 9A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 0,398€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 450 |
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IPAW60R380CEXKSA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 15 A, 600 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 15A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Otros nombres: MOSFET, IPAW60R380CEXKSA1, N-Canal-Canal, 15 A, 600 V, 3 + Tab-Pin, TO-220FP CoolMOS CE Simple.
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Precio unitario: 0,486€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 477 |
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IPAW60R600CEXKSA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 10.3 A, 600 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 10.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Otros nombres: MOSFET, IPAW60R600CEXKSA1, N-Canal-Canal, 10,3 A, 600 V, 3 + Tab-Pin, TO-220FP CoolMOS CE Simple.
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Precio unitario: 0,422€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPAW60R600P7SXKSA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 6 A, 600 V, 0.49 ohm, 10 V, 3.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 0,340€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 450 |
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IPB009N03LGATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 180 A, 30 V, 700 µohm, 10 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 180A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, IPB009N03LGATMA1, N-Canal-Canal, 180 A, 30 V, 7-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS 3 Simple, MOSFET, IPB009N03LGATMA1, N-Canal-Canal, 180 A, 30 V, 7-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS 3 Simple Si.
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Precio unitario: 1,348€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1885 |
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IPB010N06NATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 180 A, 60 V, 800 µohm, 10 V, 2.8 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 180A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: MOSFET, IPB010N06NATMA1, N-Canal-Canal, 180 A, 60 V, 7-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS 5 Simple Si.
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Precio unitario: 2,716€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2220 |
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IPB011N04NGATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 180 A, 40 V, 900 µohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 180A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V
Otros nombres: MOSFET, IPB011N04NGATMA1, N-Canal-Canal, 180 A, 40 V, 7-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS 3 Simple Si.
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Precio unitario: 1,164€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 526 |
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IPB014N06NATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 180 A, 60 V, 0.0012 ohm, 10 V, 2.8 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 180A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: MOSFET, IPB014N06NATMA1, N-Canal-Canal, 180 A, 60 V, 7-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS 5 Simple Si.
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Precio unitario: 1,562€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1336 |
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IPB015N04LGATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 120 A, 40 V, 0.0012 ohm, 10 V, 4.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 120A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V |
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Precio unitario: 1,668€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPB015N04NGATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 120 A, 40 V, 0.0012 ohm, 10 V, 10 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 120A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V
Otros nombres: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO263-3.
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Precio unitario: 1,649€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPB015N08N5ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 180 A, 80 V, 0.0011 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 180A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 80V |
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Precio unitario: 2,580€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPB016N06L3GATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 180 A, 60 V, 0.0012 ohm, 10 V, 1.7 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 180A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V |
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Precio unitario: 1,881€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2144 |
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IPB017N06N3GATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 180 A, 60 V, 0.0013 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 180A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: MOSFET, IPB017N06N3GATMA1, N-Canal-Canal, 180 A, 60 V, 7-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS 3 Simple, MOSFET, IPB017N06N3GATMA1, N-Canal-Canal, 180 A, 60 V, 7-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS 3 Simple Si.
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Precio unitario: 1,513€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |