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Mostrando 7170 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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IPB017N08N5ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 120 A, 80 V, 0.0015 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 120A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 80V |
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Precio unitario: 2,260€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 600 |
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IPB017N10N5ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 180 A, 100 V, 0.0015 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 180A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: MOSFET, IPB017N10N5ATMA1, N-Canal-Canal, 180 A, 100 V, 7 + Tab-Pin, TO-263 IPB017N10N5 Simple.
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Precio unitario: 2,697€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPB017N10N5LFATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 180 A, 100 V, 0.0015 ohm, 10 V, 3.3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 180A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: MOSFET, IPB017N10N5LFATMA1, N-Canal-Canal, 180 A, 100 V, 7-Pin, D2PAK 7pin (TO-263 7pin) OptiMOS.
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Precio unitario: 3,220€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPB019N06L3GATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 120 A, 60 V, 0.0016 ohm, 10 V, 1.7 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 120A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: MOSFET, IPB019N06L3GATMA1, N-Canal-Canal, 120 A, 60 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS 3 Simple Si.
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Precio unitario: 1,892€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPB019N08N3GATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 180 A, 80 V, 0.0016 ohm, 10 V, 2.8 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 180A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 80V |
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Precio unitario: 2,435€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 260 |
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IPB020N08N5ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 120 A, 80 V, 0.0017 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 120A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 80V |
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Precio unitario: 1,774€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 569 |
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IPB020N10N5ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 120 A, 100 V, 0.0017 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 120A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: MOSFET, IPB020N10N5ATMA1, N-Canal-Canal, 176 A, 100 V, 3 + 2 Tab-Pin, TO 263 IPB020N10N5 Simple.
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Precio unitario: 2,493€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5892 |
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IPB020N10N5LFATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 120 A, 100 V, 0.0018 ohm, 10 V, 3.3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 120A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V |
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Precio unitario: 2,997€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 135 |
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IPB020NE7N3GATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 120 A, 75 V, 0.0018 ohm, 10 V, 3.1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 120A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 75V
Otros nombres: MOSFET, IPB020NE7N3GATMA1, N-Canal-Canal, 120 A, 75 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS 3 Simple, MOSFET, IPB020NE7N3GATMA1, N-Canal-Canal, 120 A, 75 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS 3 Simple Si.
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Precio unitario: 2,134€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPB025N08N3GATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 120 A, 80 V, 0.002 ohm, 10 V, 2.8 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 120A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 80V
Otros nombres: MOSFET, IPB025N08N3GATMA1, N-Canal-Canal, 120 A, 80 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS 3 Simple Si.
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Precio unitario: 2,144€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1398 |
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IPB025N10N3GATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 180 A, 100 V, 0.002 ohm, 10 V, 2.7 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 180A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: MOSFET, IPB025N10N3GATMA1, N-Canal-Canal, 180 A, 100 V, 7-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS 3 Simple, MOSFET, IPB025N10N3GATMA1, N-Canal-Canal, 180 A, 100 V, 7-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS 3 Simple Si.
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Precio unitario: 2,794€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPB026N06NATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 100 A, 60 V, 0.0023 ohm, 10 V, 2.8 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 100A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: MOSFET, IPB026N06NATMA1, N-Canal-Canal, 100 A, 60 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS 5 Simple Si.
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Precio unitario: 0,980€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1025 |
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IPB027N10N3GATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 120 A, 100 V, 0.0023 ohm, 10 V, 2.7 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 120A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: MOSFET, IPB027N10N3GATMA1, N-Canal-Canal, 120 A, 100 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS 3 Simple, MOSFET, IPB027N10N3GATMA1, N-Canal-Canal, 120 A, 100 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS 3 Simple Si.
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Precio unitario: 2,299€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 804 |
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IPB027N10N5ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 166 A, 100 V, 0.0024 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 166A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V |
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Precio unitario: 1,940€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 25 |
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IPB029N06N3GATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 120 A, 60 V, 0.0023 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 120A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: MOSFET, IPB029N06N3GATMA1, N-Canal-Canal, 120 A, 60 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS 3 Simple Si.
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Precio unitario: 0,667€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1005 |