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Mostrando 7170 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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IPB030N08N3GATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 160 A, 80 V, 0.0025 ohm, 10 V, 2.8 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 160A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 80V
Otros nombres: MOSFET, IPB030N08N3GATMA1, N-Canal-Canal, 160 A, 80 V, 7-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS 3 Simple Si.
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Precio unitario: 1,445€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 748 |
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IPB031N08N5ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 120 A, 80 V, 0.0027 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 120A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 80V |
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Precio unitario: 1,183€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1381 |
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IPB033N10N5LFATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 120 A, 100 V, 0.0027 ohm, 10 V, 3.3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 120A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V |
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Precio unitario: 2,250€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 601 |
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IPB034N03LGATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 80 A, 30 V, 0.0028 ohm, 10 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 80A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, IPB034N03LGATMA1, N-Canal-Canal, 80 A, 30 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS 3 Simple, MOSFET, IPB034N03LGATMA1, N-Canal-Canal, 80 A, 30 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS 3 Simple Si.
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Precio unitario: 0,511€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1851 |
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IPB034N06L3GATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 90 A, 60 V, 0.0027 ohm, 10 V, 1.7 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 90A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: MOSFET, IPB034N06L3GATMA1, N-Canal-Canal, 90 A, 60 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS 3 Simple Si.
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Precio unitario: 0,599€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPB035N08N3GATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 100 A, 80 V, 0.0028 ohm, 10 V, 2.8 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 100A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 80V |
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Precio unitario: 1,329€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2049 |
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IPB036N12N3GATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 180 A, 120 V, 0.0029 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 180A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 120V
Otros nombres: MOSFET, IPB036N12N3GATMA1, N-Canal-Canal, 180 A, 120 V, 7-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS 3 Simple, MOSFET, IPB036N12N3GATMA1, N-Canal-Canal, 180 A, 120 V, 7-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS 3 Simple Si.
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Precio unitario: 2,852€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 150 |
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IPB037N06N3GATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 90 A, 60 V, 0.003 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 90A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: MOSFET, IPB037N06N3GATMA1, N-Canal, 90 A, 60 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263).
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Precio unitario: 0,697€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPB038N12N3GATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 120 A, 120 V, 0.0032 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 120A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 120V
Otros nombres: MOSFET, IPB038N12N3GATMA1, N-Canal-Canal, 120 A, 120 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS 3 Simple Si.
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Precio unitario: 2,396€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPB039N10N3GATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 160 A, 100 V, 0.0033 ohm, 10 V, 2.7 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 160A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: MOSFET, IPB039N10N3GATMA1, N-Canal-Canal, 160 A, 100 V, 7-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS 3 Simple Si.
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Precio unitario: 1,038€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPB042N03LGATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 70 A, 30 V, 0.0035 ohm, 10 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 70A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, IPB042N03LGATMA1, N-Canal-Canal, 70 A, 30 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS 3 Simple Si.
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Precio unitario: 0,468€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 556 |
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IPB042N10N3GATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 100 A, 100 V, 0.0036 ohm, 10 V, 2.7 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 100A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: MOSFET, IPB042N10N3GATMA1, N-Canal-Canal, 100 A, 100 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS 3 Simple Si.
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Precio unitario: 1,086€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 865 |
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IPB044N15N5ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 174 A, 150 V, 0.0034 ohm, 10 V, 3.8 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 174A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 150V |
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Precio unitario: 3,094€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 773 |
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IPB048N15N5ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 120 A, 150 V, 0.0037 ohm, 10 V, 3.8 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 120A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 150V |
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Precio unitario: 4,481€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPB048N15N5LFATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 120 A, 150 V, 0.0039 ohm, 10 V, 4.1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 120A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 150V |
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Precio unitario: 3,647€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |