Inicio » Semiconductores - Discretos » Transistores » Transistores MOSFET » Transistores MOSFET Simples
Mostrando 7170 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
|---|---|---|---|---|---|
|
IPB049N08N5ATMA1 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 80 A, 80 V, 0.0043 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 80A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 80V |
|
Precio unitario: 0,889€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 476 |
|
|
IPB049NE7N3GATMA1 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 80 A, 75 V, 0.0044 ohm, 10 V, 3.1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 80A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 75V
Otros nombres: MOSFET, IPB049NE7N3GATMA1, N-Canal-Canal, 80 A, 75 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS 3 Simple Si.
|
|
Precio unitario: 0,749€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 872 |
|
|
IPB054N08N3GATMA1 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 80 A, 80 V, 0.0046 ohm, 10 V, 2.8 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 80A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 80V
Otros nombres: MOSFET, IPB054N08N3GATMA1, N-Canal-Canal, 80 A, 80 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS 3 Simple Si.
|
|
Precio unitario: 0,592€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
IPB057N06NATMA1 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 45 A, 60 V, 0.0049 ohm, 10 V, 2.8 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 45A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: MOSFET, IPB057N06NATMA1, N-Canal-Canal, 45 A, 60 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS 5 Simple Si.
|
|
Precio unitario: 0,521€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 304 |
|
|
IPB065N03LGATMA1 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 50 A, 30 V, 0.0054 ohm, 10 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 50A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
|
Precio unitario: 0,363€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 533 |
|
|
IPB065N15N3GATMA1 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 130 A, 150 V, 0.0052 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 130A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 150V
Otros nombres: MOSFET, IPB065N15N3GATMA1, N-Canal-Canal, 130 A, 150 V, 7-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS 3 Simple Si.
|
|
Precio unitario: 2,823€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 715 |
|
|
IPB067N08N3GATMA1 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 80 A, 80 V, 0.0055 ohm, 10 V, 2.8 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 80A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 80V
Otros nombres: MOSFET, IPB067N08N3GATMA1, N-Canal, 80 A, 80 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263).
|
|
Precio unitario: 0,715€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
IPB072N15N3GATMA1 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 100 A, 150 V, 0.0058 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 100A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 150V
Otros nombres: MOSFET, IPB072N15N3GATMA1, N-Canal-Canal, 100 A, 150 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS 3 Simple Si, Transistor MOSFET, IPB072N15N3GATMA1, N-Canal-Canal, 100 A, 150 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS 3.
|
|
Precio unitario: 2,357€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3592 |
|
|
IPB073N15N5ATMA1 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 114 A, 150 V, 0.0056 ohm, 10 V, 3.8 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 114A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 150V |
|
Precio unitario: 3,133€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 679 |
|
|
IPB081N06L3GATMA1 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 50 A, 60 V, 0.0067 ohm, 10 V, 1.7 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 50A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: MOSFET, IPB081N06L3GATMA1, N-Canal-Canal, 50 A, 60 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS 3 Simple Si.
|
|
Precio unitario: 0,511€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 791 |
|
|
IPB083N10N3GATMA1 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 80 A, 100 V, 0.0072 ohm, 10 V, 2.7 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 80A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: MOSFET, IPB083N10N3GATMA1, N-Canal-Canal, 80 A, 100 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS 3 Simple Si.
|
|
Precio unitario: 0,505€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 739 |
|
|
IPB083N15N5LFATMA1 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 105 A, 150 V, 0.0069 ohm, 10 V, 4.1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 105A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 150V |
|
Precio unitario: 2,047€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 907 |
|
|
IPB090N06N3GATMA1 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 50 A, 60 V, 0.007 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 50A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: MOSFET, IPB090N06N3GATMA1, N-Canal-Canal, 50 A, 60 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS 3 Simple Si.
|
|
Precio unitario: 0,342€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1790 |
|
|
IPB100N04S4H2ATMA1 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 100 A, 40 V, 0.0024 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 100A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V
Otros nombres: MOSFET, IPB100N04S4H2ATMA1, N-Canal-Canal, 100 A, 40 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS T2 Simple Si.
|
|
Precio unitario: 0,583€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 955 |
|
|
IPB100N06S205ATMA4 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 100 A, 55 V, 0.0037 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 100A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 55V |
|
Precio unitario: 1,038€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 889 |