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Mostrando 7170 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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IPB100N10S305ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 100 A, 100 V, 0.004 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 100A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: MOSFET, IPB100N10S305ATMA1, N-Canal-Canal, 100 A, 100 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS 3 Simple, MOSFET, IPB100N10S305ATMA1, N-Canal-Canal, 100 A, 100 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS 3 Simple Si.
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Precio unitario: 1,445€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPB107N20N3GATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 88 A, 200 V, 0.0096 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 88A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 200V
Otros nombres: MOSFET, IPB107N20N3GATMA1, N-Canal-Canal, 88 A, 200 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS Simple, MOSFET, IPB107N20N3GATMA1, N-Canal-Canal, 88 A, 200 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS Simple Si.
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Precio unitario: 2,881€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1827 |
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IPB107N20NAATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 88 A, 200 V, 0.0096 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 88A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 200V |
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Precio unitario: 3,414€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 973 |
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IPB108N15N3GATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 83 A, 150 V, 0.0091 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 83A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 150V |
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Precio unitario: 1,728€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 942 |
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IPB110N20N3LFATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 88 A, 200 V, 0.0098 ohm, 10 V, 3.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 88A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 200V |
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Precio unitario: 3,182€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1447 |
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IPB117N20NFDATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 84 A, 200 V, 0.0103 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 84A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 200V
Otros nombres: MOSFET, IPB117N20NFDATMA1, N-Canal-Canal, 84 A, 200 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS FD Simple Si.
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Precio unitario: 2,609€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 560 |
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IPB120N04S401ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 120 A, 40 V, 0.00135 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 120A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V |
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Precio unitario: 1,057€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 640 |
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IPB120N04S402ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 120 A, 40 V, 0.00188 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 120A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V
Otros nombres: MOSFET, IPB120N04S402ATMA1, N-Canal-Canal, 120 A, 40 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS T2 Simple Si.
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Precio unitario: 0,775€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2995 |
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IPB120P04P404ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -120 A, -40 V, 0.0026 ohm, -10 V, -3 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -120A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -40V |
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Precio unitario: 1,329€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6762 |
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IPB120P04P4L03ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -120 A, -40 V, 0.0026 ohm, -10 V, -1.7 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -120A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -40V
Otros nombres: MOSFET, IPB120P04P4L03ATMA1, P-Canal, 120 A, 40 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS P Simple Si.
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Precio unitario: 0,917€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2337 |
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IPB123N10N3GATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 58 A, 100 V, 0.0107 ohm, 10 V, 2.7 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 58A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: MOSFET, IPB123N10N3GATMA1, N-Canal-Canal, 58 A, 100 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS 3 Simple Si.
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Precio unitario: 0,631€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1083 |
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IPB144N12N3GATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 41 A, 120 V, 0.0123 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 41A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 120V
Otros nombres: MOSFET, IPB144N12N3GATMA1, N-Canal-Canal, 56 A, 120 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS 3 Simple Si.
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Precio unitario: 0,606€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2463 |
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IPB160N04S203ATMA4 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 160 A, 40 V, 0.0024 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 160A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V |
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Precio unitario: 1,245€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 991 |
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IPB160N04S4H1ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 160 A, 40 V, 0.0014 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 160A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V
Otros nombres: MOSFET, IPB160N04S4H1ATMA1, N-Canal-Canal, 160 A, 40 V, 7-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS T2 Simple Si.
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Precio unitario: 0,772€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3190 |
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IPB17N25S3100ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 17 A, 250 V, 0.085 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 17A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 250V
Otros nombres: MOSFET, IPB17N25S3100ATMA1, N-Canal-Canal, 17 A, 250 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS T Simple Si.
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Precio unitario: 0,605€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 869 |