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Mostrando 7170 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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IPB180N04S400ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 180 A, 40 V, 800 µohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 180A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V
Otros nombres: MOSFET, IPB180N04S400ATMA1, N-Canal-Canal, 180 A, 40 V, 7-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS T2 Simple Si.
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Precio unitario: 1,310€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPB180N04S401ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 180 A, 40 V, 0.0011 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 180A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V |
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Precio unitario: 0,853€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPB180N04S4H0ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 180 A, 40 V, 900 µohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 180A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V |
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Precio unitario: 1,106€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPB180N06S4H1ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 180 A, 60 V, 0.0013 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 180A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V |
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Precio unitario: 1,174€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 36 |
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IPB180N06S4H1ATMA2 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 180 A, 60 V, 0.0013 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 180A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: MOSFET, IPB180N06S4H1ATMA2, N-Canal-Canal, 180 A, 60 V, 7-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS T2 Simple Si.
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Precio unitario: 1,637€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1025 |
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IPB180N08S402ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 180 A, 80 V, 0.0018 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 180A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 80V |
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Precio unitario: 2,146€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1575 |
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IPB180N10S402ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 180 A, 100 V, 0.0029 ohm, 10 V, 2.7 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 180A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: MOSFET, IPB180N10S402ATMA1, N-Canal-Canal, 180 A, 100 V, 7 + Tab-Pin, TO-263 IPB180N10S4-02 Simple.
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Precio unitario: 2,571€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3070 |
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IPB180P04P4L02ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -180 A, -40 V, 0.0018 ohm, -10 V, -1.7 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -180A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -40V
Otros nombres: MOSFET, IPB180P04P4L02ATMA1, P-Canal, 180 A, 40 V, 7-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS P Simple Si.
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Precio unitario: 1,271€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 790 |
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IPB200N15N3GATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 50 A, 150 V, 0.016 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 50A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 150V
Otros nombres: MOSFET, IPB200N15N3GATMA1, N-Canal-Canal, 50 A, 150 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS 3 Simple, MOSFET, IPB200N15N3GATMA1, N-Canal-Canal, 50 A, 150 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS 3 Simple Si.
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Precio unitario: 1,154€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1218 |
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IPB200N25N3GATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 64 A, 250 V, 0.0175 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 64A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 250V
Otros nombres: MOSFET, IPB200N25N3GATMA1, N-Canal-Canal, 64 A, 250 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS 3 Simple Si.
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Precio unitario: 2,920€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPB320N20N3GATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 34 A, 200 V, 0.028 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 34A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 200V
Otros nombres: MOSFET, IPB320N20N3GATMA1, N-Canal-Canal, 34 A, 200 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS 3 Simple Si, Transistor MOSFET, IPB320N20N3GATMA1, N-Canal-Canal, 34 A, 200 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS 3.
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Precio unitario: 1,164€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2 |
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IPB35N10S3L26ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 35 A, 100 V, 0.0203 ohm, 10 V, 1.7 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 35A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: MOSFET, IPB35N10S3L26ATMA1, N-Canal-Canal, 35 A, 100 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS T Simple Si.
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Precio unitario: 0,496€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2039 |
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IPB50N10S3L16ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 50 A, 100 V, 0.0131 ohm, 10 V, 1.7 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 50A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: MOSFET, IPB50N10S3L16ATMA1, N-Canal-Canal, 50 A, 100 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS T Simple Si.
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Precio unitario: 0,656€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPB50R140CPATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 23 A, 550 V, 0.13 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 23A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 550V |
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Precio unitario: 1,833€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 701 |
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IPB530N15N3GATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 21 A, 150 V, 0.044 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 21A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 150V |
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Precio unitario: 0,831€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 989 |