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Mostrando 7170 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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IPB600N25N3GATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 25 A, 250 V, 0.051 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 25A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 250V
Otros nombres: MOSFET, IPB600N25N3GATMA1, N-Canal-Canal, 25 A, 250 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS 3 Simple Si.
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Precio unitario: 1,037€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1662 |
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IPB60R040C7ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 50 A, 600 V, 0.034 ohm, 10 V, 3.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 50A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 9,564€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 546 |
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IPB60R060C7ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 35 A, 600 V, 0.052 ohm, 10 V, 3.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 35A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 3,240€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPB60R060P7ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 48 A, 600 V, 0.049 ohm, 10 V, 3.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 48A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 2,765€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 406 |
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IPB60R080P7ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 37 A, 600 V, 0.069 ohm, 10 V, 3.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 37A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 2,289€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 652 |
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IPB60R099C6ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 37.9 A, 650 V, 0.09 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 37.9A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V
Otros nombres: MOSFET, IPB60R099C6ATMA1, N-Canal-Canal, 38 A, 600 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) CoolMOS C6 Simple Si.
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Precio unitario: 2,541€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 246 |
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IPB60R099CPATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 31 A, 650 V, 0.09 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 31A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V
Otros nombres: MOSFET, IPB60R099CPATMA1, N-Canal-Canal, 31 A, 650 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) CoolMOS CP Simple Si.
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Precio unitario: 5,801€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1879 |
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IPB60R099P7ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 31 A, 600 V, 0.077 ohm, 10 V, 3.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 31A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 1,989€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 773 |
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IPB60R120C7ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 19 A, 600 V, 0.103 ohm, 10 V, 3.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 19A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 2,832€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 982 |
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IPB60R120P7ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 26 A, 600 V, 0.1 ohm, 10 V, 3.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 26A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Otros nombres: MOSFET, IPB60R120P7ATMA1, N-Canal-Canal, 26 A, 600 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) 600V CoolMOS P7.
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Precio unitario: 1,494€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPB60R125C6ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 30 A, 600 V, 0.11 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 30A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Otros nombres: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO263-3.
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Precio unitario: 2,144€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 975 |
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IPB60R125CPATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 25 A, 650 V, 0.11 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 25A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V
Otros nombres: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 208W; PG-TO263-3.
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Precio unitario: 2,231€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 995 |
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IPB60R160C6ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 23.8 A, 600 V, 0.14 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 23.8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Otros nombres: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23,8A; 176W; PG-TO263-3.
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Precio unitario: 1,264€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 584 |
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IPB60R165CPATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 21 A, 650 V, 0.15 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 21A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V
Otros nombres: MOSFET, IPB60R165CPATMA1, N-Canal-Canal, 21 A, 650 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) CoolMOS CP Simple, MOSFET, IPB60R165CPATMA1, N-Canal-Canal, 21 A, 650 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) CoolMOS CP Simple Si.
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Precio unitario: 1,833€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1144 |
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IPB60R180C7ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 13 A, 600 V, 0.155 ohm, 10 V, 3.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 13A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 1,930€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 997 |