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Mostrando 7170 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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IPB60R180P7ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 18 A, 600 V, 0.145 ohm, 10 V, 3.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 18A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 0,998€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1000 |
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IPB60R190C6ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 20.2 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 20.2A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Otros nombres: MOSFET, IPB60R190C6ATMA1, N-Canal-Canal, 20 A, 650 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) CoolMOS C6 Simple Si, MOSFET, IPB60R190C6ATMA1, N-Canal-Canal, 20,2 A, 650 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) CoolMOS C6 Simple Si.
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Precio unitario: 1,251€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2802 |
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IPB60R199CPATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 16 A, 650 V, 0.18 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 16A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V
Otros nombres: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 139W; PG-TO263-3.
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Precio unitario: 1,523€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPB60R280C6ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 13.8 A, 600 V, 0.25 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 13.8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Otros nombres: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13,8A; 104W; PG-TO263-3.
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Precio unitario: 0,932€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPB60R280P7ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 12 A, 600 V, 0.214 ohm, 10 V, 3.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 12A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Otros nombres: MOSFET, IPB60R280P7ATMA1, N-Canal-Canal, 12 A, 600 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) 600 V CoolMOS P7.
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Precio unitario: 0,825€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 992 |
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IPB60R299CPATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 11 A, 650 V, 0.27 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 11A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V
Otros nombres: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 96W; PG-TO263-3.
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Precio unitario: 1,183€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPB60R360P7ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 9 A, 600 V, 0.305 ohm, 10 V, 3.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 9A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Otros nombres: MOSFET, IPB60R360P7ATMA1, N-Canal-Canal, 9 A, 600 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) 600V CoolMOS P7.
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Precio unitario: 0,583€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1010 |
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IPB60R380C6ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 10.6 A, 600 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 10.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Otros nombres: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10,6A; 83W; PG-TO263-3.
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Precio unitario: 0,781€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPB60R385CPATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 9 A, 650 V, 0.35 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 9A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V |
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Precio unitario: 0,906€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 17 |
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IPB60R600C6ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 7.3 A, 600 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 7.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Otros nombres: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7,3A; 63W; PG-TO263-3.
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Precio unitario: 0,580€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPB60R600CP |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 6.1 A, 650 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 6.1A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V |
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Precio unitario: 0,726€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPB60R950C6ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 4.4 A, 600 V, 0.86 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 4.4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Otros nombres: MOSFET, IPB60R950C6ATMA1, N-Canal, 4,4 A, 650 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263).
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Precio unitario: 0,326€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPB64N25S320ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 64 A, 250 V, 0.0175 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 64A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 250V
Otros nombres: MOSFET, IPB64N25S320ATMA1, N-Canal-Canal, 64 A, 250 V, 3-Pin, TO-263 IPB64N25S3-20 Simple.
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Precio unitario: 2,735€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2425 |
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IPB65R045C7ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 46 A, 650 V, 0.04 ohm, 10 V, 3.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 46A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V
Otros nombres: MOSFET, IPB65R045C7ATMA1, N-Canal, 46 A, 700 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263).
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Precio unitario: 5,946€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 442 |
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IPB65R095C7ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 24 A, 650 V, 0.084 ohm, 10 V, 3.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 24A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V |
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Precio unitario: 2,386€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |